[發(fā)明專利]電子部件用多層布線膜以及覆蓋層形成用濺射靶材有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610866976.6 | 申請日: | 2016-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN107039097B | 公開(公告)日: | 2019-04-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 村田英夫 | 申請(專利權(quán))人: | 日立金屬株式會社 |
| 主分類號: | H01B1/02 | 分類號: | H01B1/02;H01B5/14;C23C14/35;C23C14/18 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;李茂家 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電子 部件 多層 布線 以及 覆蓋層 形成 濺射 | ||
1.一種電子部件用多層布線膜,其具有由Al或Al合金形成的導(dǎo)電層以及覆蓋該導(dǎo)電層的至少一側(cè)的面的覆蓋層,其特征在于,所述覆蓋層含有3~25原子%的Mn以及30~35原子%的Ni,余量由Mo和不可避免的雜質(zhì)組成,所述覆蓋層的反射率為36%~61%。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子部件用多層布線膜,其特征在于,所述覆蓋層的所述Mo的一部分在總計1~15原子%的范圍被選自Ti、V、Nb、Ta、Cr、W中的一種以上元素置換。
3.一種覆蓋層形成用濺射靶材,其特征在于,其用于形成電子部件用多層布線膜中的覆蓋由Al或Al合金形成的導(dǎo)電層、反射率為36%~61%的覆蓋層,所述濺射靶材含有3~25原子%的Mn以及30~35原子%的Ni,余量由Mo和不可避免的雜質(zhì)組成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的覆蓋層形成用濺射靶材,其特征在于,所述Mo的一部分在總計1~15原子%的范圍被選自Ti、V、Nb、Ta、Cr、W中的一種以上元素置換。
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