[發明專利]附載體的金屬箔、積層體、印刷配線板的制造方法及電子機器的制造方法在審
| 申請號： | 201610866134.0 | 申請日： | 2016-09-29 |
| 公開（公告）號： | CN107889354A | 公開（公告）日： | 2018-04-06 |
| 發明（設計）人： | 澁谷義孝;永浦友太;本多美里;前西原修 | 申請（專利權）人： | JX金屬株式會社 |
| 主分類號： | H05K1/09 | 分類號： | H05K1/09;H05K3/02 |
| 代理公司： | 北京戈程知識產權代理有限公司11314 | 代理人： | 程偉 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 載體 金屬 積層體 印刷 線板 制造 方法 電子 機器 | ||
1.一種附載體的金屬箔，其是依序具有載體、含有氧的第一中間層、金屬層的附載體的金屬箔，
關于所述附載體的金屬箔在寬度方向(TD方向)上以20mm為間隔的5個部位及在長度方向(MD方向)上以20mm為間隔的5個部位的合計10個部位，利用STEM對所述附載體的金屬箔包含載體的一部分、第一中間層及金屬層的一部分的剖面沿與載體的厚度方向相同的方向進行射線分析時，
在所述第一中間層中，所述10個部位的氧為5at％以上的部分的厚度的平均值為0.5nm以上且30nm以下，標準差/平均值為0.6以下。
2.根據權利要求1所述的附載體的金屬箔，其中在所述10個部位的所述氧為5at％以上的厚度區域，Cr存在1at％以上。
3.根據權利要求1所述的附載體的金屬箔，其中在大氣中、在壓力20kgf/cm2、220℃×2小時的條件下使所述附載體的金屬箔從所述金屬層側熱壓接于絕緣基板，
關于所述附載體的金屬箔在寬度方向(TD方向)上以20mm為間隔的5個部位及在長度方向(MD方向)上以20mm為間隔的5個部位的合計10個部位，利用STEM對所述附載體的金屬箔的載體的一部分、第一中間層及金屬層的一部分剖面沿與載體的厚度方向相同的方向進行射線分析時，
在所述第一中間層中，所述10個部位的氧為5at％以上的部分的厚度的平均值為0.5nm以上且30nm以下。
4.根據權利要求2所述的附載體的金屬箔，其中在大氣中、在壓力20kgf/cm2、220℃×2小時的條件下使所述附載體的金屬箔從所述金屬層側熱壓接于絕緣基板，
關于所述附載體的金屬箔在寬度方向(TD方向)上以20mm為間隔的5個部位及在長度方向(MD方向)上以20mm為間隔的5個部位的合計10個部位，利用STEM對所述附載體的金屬箔的載體的一部分、第一中間層及金屬層的一部分剖面沿與載體的厚度方向相同的方向進行射線分析時，
在所述第一中間層中，所述10個部位的氧為5at％以上的部分的厚度的平均值為0.5nm以上且30nm以下。
5.根據權利要求1所述的附載體的金屬箔，其中在大氣中、在壓力20kgf/cm2、220℃×2小時的條件下使所述附載體的金屬箔從所述金屬層側熱壓接于絕緣基板，
關于所述附載體的金屬箔在寬度方向(TD方向)上以20mm為間隔的5個部位及在長度方向(MD方向)上以20mm為間隔的5個部位的合計10個部位，利用STEM對所述附載體的金屬箔的載體的一部分、第一中間層及金屬層的一部分剖面沿與載體的厚度方向相同的方向進行射線分析時，
在所述第一中間層中，所述10個部位的氧為5at％以上的部分的厚度的標準差/平均值為0.6以下。
6.根據權利要求2所述的附載體的金屬箔，其中在大氣中、在壓力20kgf/cm2、220℃×2小時的條件下使所述附載體的金屬箔從所述金屬層側熱壓接于絕緣基板，
關于所述附載體的金屬箔在寬度方向(TD方向)上以20mm為間隔的5個部位及在長度方向(MD方向)上以20mm為間隔的5個部位的合計10個部位，利用STEM對所述附載體的金屬箔的載體的一部分、第一中間層及金屬層的一部分剖面沿與載體的厚度方向相同的方向進行射線分析時，
在所述第一中間層中，所述10個部位的氧為5at％以上的部分的厚度的標準差/平均值為0.6以下。
7.根據權利要求3所述的附載體的金屬箔，其中在大氣中、在壓力20kgf/cm2、220℃×2小時的條件下使所述附載體的金屬箔從所述金屬層側熱壓接于絕緣基板，
關于所述附載體的金屬箔在寬度方向(TD方向)上以20mm為間隔的5個部位及在長度方向(MD方向)上以20mm為間隔的5個部位的合計10個部位，利用STEM對所述附載體的金屬箔的載體的一部分、第一中間層及金屬層的一部分剖面沿與載體的厚度方向相同的方向進行射線分析時，
在所述第一中間層中，所述10個部位的氧為5at％以上的部分的厚度的標準差/平均值為0.6以下。
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