[發明專利]一種逆磁性硫系磁旋光玻璃及其制備方法有效
| 申請號： | 201610854843.7 | 申請日： | 2016-09-27 |
| 公開（公告）號： | CN106477882B | 公開（公告）日： | 2019-01-22 |
| 發明（設計）人： | 彭波;許彥濤;郭海濤;陳崗;陸敏 | 申請（專利權）人： | 中國科學院西安光學精密機械研究所 |
| 主分類號： | C03C4/00 | 分類號： | C03C4/00;C03C3/32 |
| 代理公司： | 西安智邦專利商標代理有限公司 61211 | 代理人： | 陳廣民 |
| 地址： | 710119 陜西省西*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 磁旋光玻璃 制備 硫系 光電功能材料 溫度補償系統 遠紅外波段 玻璃 磁光器件 器件結構 溫度無關 原料組成 遠紅外 波段 逆磁 覆蓋 應用 | ||
1.一種逆磁性硫系磁旋光玻璃，其特征在于：原料組成及摩爾質量分數為：60-80％的GeS2、15-20％的In2S3和5-25％的PbI2。
2.根據權利要求1所述的逆磁性硫系磁旋光玻璃，其特征在于：原料組成及摩爾質量分數為：60-68％的GeS2、15-17％的In2S3和15-25％的PbI2。
3.根據權利要求2所述的逆磁性硫系磁旋光玻璃，其特征在于：原料組成及摩爾質量分數為：60％的GeS2、15％的In2S3和25％的PbI2。
4.一種逆磁性硫系磁旋光玻璃的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：
1】按照以下摩爾質量分數配比準確稱量原料：60-80％的GeS2、15-20％的In2S3和5-25％的PbI2；
2】將原料放置于石英管中，抽真空后封口；
3】將封口后的石英管在900-1000℃的溫度下熔制12-24小時；
4】熔制完成后降溫至880℃，將石英管置于室溫的水中淬冷后轉移至退火爐中進行退火處理；
5】退火完成后，將石英管破開或者用氫氟酸腐蝕石英管得到逆磁性硫系磁旋光玻璃。
5.根據權利要求4所述的逆磁性硫系磁旋光玻璃的制備方法，其特征在于：步驟1】中的原料摩爾質量分數配比為：60-68％的GeS2、15-17％的In2S3和15-25％的PbI2。
6.根據權利要求5所述的逆磁性硫系磁旋光玻璃的制備方法，其特征在于：步驟1】中的原料摩爾質量分數配比為：60％的GeS2、15％的In2S3和25％的PbI2。
7.根據權利要求4-6中任一所述的逆磁性硫系磁旋光玻璃的制備方法，其特征在于：步驟3】中的熔制溫度為970℃，熔制時間為15小時。
8.根據權利要求7所述的逆磁性硫系磁旋光玻璃的制備方法，其特征在于：步驟3】中的石英管是在搖擺爐中進行熔制。
9.根據權利要求8所述的逆磁性硫系磁旋光玻璃的制備方法，其特征在于：步驟4】中是將淬冷后的石英管轉移至已升至退火溫度的退火爐中，保溫2小時，然后用12小時降至室溫。
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