[發明專利]薄膜晶體管陣列基底及其制造方法和有機發光顯示設備有效
| 申請號: | 201610853393.X | 申請日: | 2016-09-26 |
| 公開(公告)號: | CN106816452B | 公開(公告)日: | 2022-04-26 |
| 發明(設計)人: | 金正訓 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 劉燦強;尹淑梅 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜晶體管 陣列 基底 及其 制造 方法 有機 發光 顯示 設備 | ||
提供了一種薄膜晶體管陣列基底及其制造方法和有機發光顯示設備。所述薄膜晶體管陣列基底包括:基底;第一晶體管的第一有源層,位于基底上并且包括源區、溝道區和漏區;導電層,位于第一有源層上并且經由接觸孔電連接到源區或漏區;第一絕緣層和第二絕緣層,位于第一有源層與導電層之間,其中,接觸孔通過第一絕緣層和第二絕緣層限定;第一支撐層,位于第一絕緣層與第二絕緣層之間,并且圍繞接觸孔的至少一部分。
本申請要求于2015年11月3日在韓國知識產權局提交的第10-2015-0153803號韓國專利申請的優先權和從其產生的所有權益,該韓國專利申請的內容通過引用全部包含于此。
技術領域
一個或更多個示例性實施例涉及一種薄膜晶體管陣列基底、一種制造該薄膜晶體管陣列基底的方法以及一種包括該薄膜晶體管陣列基底的有機發光顯示設備,更具體地,涉及一種包括用于改善顯示質量的精細接觸孔的薄膜晶體管陣列基底、一種制造該薄膜晶體管陣列基底的方法以及一種包括該薄膜晶體管陣列基底的有機發光顯示設備。
背景技術
諸如有機發光顯示設備和液晶顯示設備的顯示設備通常包括薄膜晶體管(“TFT”)、電容器和多條布線。其上制造有顯示設備的基底包括具有TFT、電容器和布線的精細圖案,其中,顯示設備是基于TFT、電容器和布線之間的復雜連接而操作的。
近來,隨著對緊湊且高分辨率顯示設備的需求增大,對布置在顯示設備中的TFT、電容器和布線之間的有效空間布置和連接結構的要求正在提高。
有機發光顯示設備通常包括有機發射元件,有機發射元件包括空穴注入電極、電子注入電極以及置于空穴注入電極和電子注入電極之間的有機發射層,并且有機發光顯示設備是當激子從激發態切換到基態時發射光的自發光顯示設備,其中,激子隨著通過空穴注入電極注入的空穴與通過電子注入電極注入的電子在有機發射層中結合而產生。
由于作為自發光顯示設備的有機發光顯示設備可以不包括單獨的光源,所以有機發光顯示設備可以用低電壓驅動,可以是纖薄且重量輕的顯示設備,并且具有寬視角、高對比度和快的響應速度,因此,有機發光顯示設備廣泛地應用于從諸如MP3播放器和移動電話的個人便攜式裝置到電視機(“TV”)的電子裝置中。
發明內容
為了實現緊湊且高分辨率的有機發光顯示設備,期望減小有機發光顯示設備中包括的元件的尺寸并且增加元件的數量。隨著有機發光顯示設備中包括的元件的數量增加以實現高分辨率,在有機發光顯示設備的基底中形成的接觸孔的數量增大。然而,不容易在基底中形成具有精細且均勻尺寸的多個接觸孔。
一個或更多個示例性實施例包括通過在不損壞絕緣層的情況下形成精細接觸孔而具有改善的顯示質量的薄膜晶體管陣列基底、制造該薄膜晶體管陣列基底的方法以及包括該薄膜晶體管陣列基底的有機發光顯示設備。
根據一個或更多個示例性實施例,一種薄膜晶體管陣列基底包括:基底;第一晶體管的第一有源層,在基底的上方并且包括源區、溝道區和漏區;導電層,在第一有源層上并且經由接觸孔電連接到源區或漏區;第一絕緣層和第二絕緣層,在第一有源層與導電層之間,其中,接觸孔通過第一絕緣層和第二絕緣層限定;第一支撐層,位于第一絕緣層與第二絕緣層之間,并且圍繞接觸孔的至少一部分。
在示例性實施例中,第一支撐層可以包括金屬。
在示例性實施例中,薄膜晶體管陣列基底還可以包括:第一晶體管的第一柵電極,在第一絕緣層與第二絕緣層之間并且在平面圖中與溝道區疊置,其中,第一支撐層可以包括與第一柵電極相同的材料。
在示例性實施例中,薄膜晶體管陣列基底還可以包括:第三絕緣層,在第一絕緣層和第一有源層之間,其中,接觸孔通過第三絕緣層限定;第二晶體管,電連接到第一晶體管;電容器,在平面圖中與第二晶體管疊置。在這樣的實施例中,第二晶體管可以包括與第一有源層位于同一層中的第二有源層以及在第三絕緣層上以與第二有源層的至少一部分疊置的第二柵電極,電容器可以包括通過第二柵電極限定的第一電極以及面對第二柵電極的第二電極。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





