[發明專利]超結功率器件及其制造方法在審
| 申請號： | 201610851978.8 | 申請日： | 2016-09-26 |
| 公開（公告）號： | CN107871664A | 公開（公告）日： | 2018-04-03 |
| 發明（設計）人： | 趙圣哲;馬萬里 | 申請（專利權）人： | 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司11205 | 代理人： | 楊澤,劉芳 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 功率 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種超結功率器件的制造方法，其特征在于，包括：
在具有第一摻雜類型的基底中形成第二摻雜類型的柱狀摻雜區；
在形成有所述柱狀摻雜區的基底上，形成具有第一摻雜類型的第一外延層，所述第一外延層與所述柱狀摻雜區接觸；
在所述第一外延層上形成柵極結構；
在所述柵極結構兩側的所述第一外延層中，分別形成第二摻雜類型的兩個體區，所述體區的頂部與所述柵極結構接觸，每個所述體區的底端分別與一個所述柱狀摻雜區接觸。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述體區的寬度小于或等于所接觸的柱狀摻雜區的寬度。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底包括具有第一摻雜類型的襯底以及形成于所述襯底之上的具有第一摻雜類型的第二外延層。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一外延層中的第一摻雜類型的離子濃度和所述第二外延層中的第一摻雜類型的離子濃度相同。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述柱狀摻雜區的第二摻雜類型的離子濃度高于所述體區第二摻雜類型的離子濃度。
6.根據權利要求1-5任一項所述的方法，其特征在于，所述第一摻雜類型包括N摻雜，所述第二摻雜類型包括P摻雜；或者
所述第一摻雜類型包括P摻雜，所述第二摻雜類型包括N摻雜。
7.一種超結功率器件，其特征在于，包括：
第一摻雜類型的基底；
柱狀摻雜區，位于所述基底中；
第一外延層，位于所述基底上，所述第一外延層與所述柱狀摻雜區接觸；
柵極結構，位于所述第一外延層上；
兩個體區，分別位于柵極結構兩側的所述第一外延層內，且所述體區的底部與所述柱狀摻雜區接觸，所述體區的頂部與所述柵極結構接觸。
8.根據權利要求7所述的超結功率器件，其特征在于，所述體區的寬度小于所接觸的柱狀摻雜區的寬度。
9.根據權利要求7所述的超結功率器件，其特征在于，所述基底包括：
第一摻雜類型的襯底；
第一摻雜類型的第二外延層，位于所述襯底上，所述柱狀摻雜區位于所述第二外延層內。
10.根據權利要求7-9中任一項所述的超結功率器件，其特征在于，還包括：
第一摻雜類型的源區和漏區，分別位于所述柵極結構兩側的所述體區中，且與所述柵極結構接觸；
絕緣介質層，覆蓋在所述柵極結構上，且與所述源區和漏區接觸；
金屬層，覆蓋在所述絕緣介質層上，且與所述源區、漏區和體區接觸。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
