[發明專利]一種在碳布上生長的氫氧化鎳@二氧化錳核殼異質結構納米片陣列材料、制備方法及其應用在審
| 申請號： | 201610850269.8 | 申請日： | 2016-09-26 |
| 公開（公告）號： | CN106298285A | 公開（公告）日： | 2017-01-04 |
| 發明（設計）人： | 張小俊;付陽 | 申請（專利權）人： | 安徽師范大學 |
| 主分類號： | H01G11/86 | 分類號： | H01G11/86;H01G11/24;H01G11/30;H01G11/46;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 蕪湖安匯知識產權代理有限公司34107 | 代理人： | 任晨晨 |
| 地址： | 241000 安徽省*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 碳布上 生長 氫氧化 二氧化錳 核殼異質 結構 納米 陣列 材料 制備 方法 及其 應用 | ||
【說明書】：
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