[發(fā)明專利]一種銅銦鎵硒薄膜制備方法及銅銦鎵硒薄膜

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610841978.X
• 申請日: 2016-09-22
• 公開（公告）號: CN106229362B
• 公開（公告）日: 2018-03-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王文慶
• 申請（專利權(quán)）人: 東莞市聯(lián)洲知識產(chǎn)權(quán)運(yùn)營管理有限公司
• 主分類號: H01L31/032
• 分類號: H01L31/032
• 代理公司: 北京眾合誠成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11246
• 代理人: 連平

1.一種銅銦鎵硒薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)在沉積背電極的襯底上磁控濺射形成包含硒化物系列化合物的第一層摻鈉銅銦鎵硒預(yù)制層；

(2)硒化熱處理摻鈉銅銦鎵硒預(yù)制層，得到第一層銅銦鎵硒薄膜層；每次硒化熱處理前，在每層摻鈉銅銦鎵硒預(yù)制層上蒸發(fā)沉積硒形成一層硒層；硒化熱處理加熱過程為，先20℃/min升溫至200℃，再100℃/min升溫至510℃～560℃，維持2分鐘，然后10℃/min降溫至500℃～550℃，維持10min～60min；每層銅銦鎵硒層中鈉摻雜量0.1％～0.3％；

(3)周期循環(huán)重復(fù)步驟(1)、(2)，每個(gè)周期中Ga/(In+Ga)不同，從第一層銅銦鎵硒薄膜層到最后一層銅銦鎵硒薄膜層中，Ga/(In+Ga)先減小后增多；

上述制得的銅銦鎵硒薄膜由n層不同帶隙的摻鈉銅銦鎵硒薄膜層組成，各層摻鈉銅銦鎵硒薄膜層帶隙沿著薄膜沉積生長方向先減小后增多，n大于等于3。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅銦鎵硒薄膜的制備方法，其特征在于：所述背電極為Cu-Mo合金組成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅銦鎵硒薄膜的制備方法，其特征在于：所述硒化物系列化合物包含Cu-Se、In-Se、Ga-Se、Cu-In-Se中的一種或幾種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅銦鎵硒薄膜的制備方法，其特征在于：所述摻鈉銅銦鎵硒預(yù)制層通過包含硒化物系列化合物的目標(biāo)靶材與Na₂Se靶材共同濺射形成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅銦鎵硒薄膜的制備方法，其特征在于：磁控濺射前，對所用靶材進(jìn)行10min預(yù)濺射。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅銦鎵硒薄膜的制備方法，其特征在于：第n層銅銦鎵硒薄膜層中Ga/(In+Ga)＝X_n，0.4≤X_n≤0.3。