[發明專利]放大器

有效

• 申請號: 201610827446.0
• 申請日: 2016-09-14
• 公開（公告）號: CN107068623B
• 公開（公告）日: 2019-11-08
• 發明（設計）人: 小坂尚希;今井翔平;岡村篤司;三輪真一;長明健一郎;佐佐木善伸;堀口健一
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L25/07;H01L23/498;H01L23/49;H03F3/04
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

本發明的目的在于提供一種能夠抑制鍵合線的熔斷的放大器。具有：封裝件；晶體管芯片，其具有柵極焊盤、和細長地形成的漏極焊盤，該晶體管芯片設置于該封裝件中；以及多條漏極鍵合線，其與該漏極焊盤連接，該多條漏極鍵合線具有：第1最外鍵合線，其與該漏極焊盤的一個末端部分連接；第2最外鍵合線，其與該漏極焊盤的另一個末端部分連接；以及中間鍵合線，其夾在該第1最外鍵合線和該第2最外鍵合線之間，該多條漏極鍵合線比1mm長，該第1最外鍵合線和該第2最外鍵合線的線環高度比該中間鍵合線的線環高度高。

技術領域

本發明涉及一種對信號進行放大的放大器。

背景技術

在專利文獻1中公開了一種放大器，該放大器在封裝件內設置FET芯片和匹配基板，由鍵合線實現電連接。

專利文獻1：日本特開2001－148616號公報

近年來，放大器存在高輸出化的趨勢。如果使晶體管高輸出化，則存在下述問題，即，在與晶體管的漏極焊盤連接的鍵合線中流過大電流，該鍵合線熔斷。

發明內容

本發明就是為了解決上述課題而提出的，其目的在于提供一種能夠抑制鍵合線的熔斷的放大器。

本發明所涉及的放大器具有：封裝件；晶體管芯片，其具有柵極焊盤、和細長地形成的漏極焊盤，該晶體管芯片設置于該封裝件中；以及多條漏極鍵合線，其與該漏極焊盤連接；該多條漏極鍵合線具有：第1最外鍵合線，其與該漏極焊盤的一個末端部分連接；第2最外鍵合線，其與該漏極焊盤的另一個末端部分連接；以及中間鍵合線，其夾在該第1最外鍵合線和該第2最外鍵合線之間，該多條漏極鍵合線比1mm長，該第1最外鍵合線和該第2最外鍵合線的線環高度比該中間鍵合線的線環高度高。

本發明所涉及的其他放大器的特征在于，具有：封裝件；晶體管芯片，其具有柵極焊盤、和細長地形成的漏極焊盤，該晶體管芯片設置于該封裝件中；以及多條漏極鍵合線，其與該漏極焊盤連接，該多條漏極鍵合線具有：第1最外鍵合線，其與該漏極焊盤的一個末端部分連接；第2最外鍵合線，其與該漏極焊盤的另一個末端部分連接；以及中間鍵合線，其夾在該第1最外鍵合線和該第2最外鍵合線之間，該第1最外鍵合線和該第2最外鍵合線比該中間鍵合線粗。

本發明所涉及的其他放大器的特征在于，具有：封裝件；晶體管芯片，其具有柵極焊盤、和細長地形成的漏極焊盤，該晶體管芯片設置于該封裝件中；以及多條漏極鍵合線，其與該漏極焊盤連接，該多條漏極鍵合線具有：多條第1最外鍵合線，其以落地點接觸的方式與該漏極焊盤的一個末端部分連接；多條第2最外鍵合線，其以落地點接觸的方式與該漏極焊盤的另一個末端部分連接；以及中間鍵合線，其夾在該多條第1最外鍵合線和該多條第2最外鍵合線之間，該多條第1最外鍵合線的線環高度不同，該多條第2最外鍵合線的線環高度不同。

本發明所涉及的其他放大器的特征在于，具有：封裝件；晶體管芯片，其具有柵極焊盤、和細長地形成的漏極焊盤，該晶體管芯片設置于該封裝件中；以及多條漏極鍵合線，其與該漏極焊盤連接，以與位于該漏極焊盤的一個末端部分和另一個末端部分之間的中間部分相比，在該漏極焊盤的該一個末端部分和該另一個末端部分，漏極鍵合線的密度較高的方式，設置該多條漏極鍵合線。

本發明所涉及的其他放大器的特征在于，具有：封裝件；晶體管芯片，其具有柵極焊盤、和細長地形成的漏極焊盤，該晶體管芯片設置于該封裝件中；以及多條漏極鍵合線，其與該漏極焊盤連接，該多條漏極鍵合線具有：2條第1最外鍵合線，其與該漏極焊盤的一個末端部分連接；2條第2最外鍵合線，其與該漏極焊盤的另一個末端部分連接；以及中間鍵合線，其夾在該2條第1最外鍵合線和該2條第2最外鍵合線之間，該2條第1最外鍵合線在俯視觀察時相交叉，該2條第2最外鍵合線在俯視觀察時相交叉。