[發明專利]清洗方法、及半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201610815832.8
• 申請日: 2010-09-28
• 公開（公告）號: CN107022421B
• 公開（公告）日: 2020-04-28
• 發明（設計）人: 高橋智威;高橋和敬;水谷篤史;關裕之;伏見英生;加藤知夫
• 申請（專利權）人: 富士膠片株式會社
• 主分類號: C11D1/835
• 分類號: C11D1/835;C11D3/04;C11D3/20;C11D3/28;C11D3/60;C11D11/00;H01L21/02
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 葛凡

1.一種清洗方法，其包含制備清洗組合物的制備工序以及利用所述清洗組合物清洗在半導體基板上形成的等離子蝕刻殘渣及/或灰化殘渣的清洗工序，其中，所述半導體基板含有Al和TiN，所述清洗組合物包含：

成分a：水、

成份b：羥基胺及/或其鹽、

成分c：堿性有機化合物、和

成分d：有機酸，

成分a相對于清洗組合物的總重量的含量為50～99.5重量％，

作為成份b單獨使用1種羥胺硫酸鹽，

成份c為四烷基氫氧化銨，

所述清洗組合物的pH為7.2～8.4。

2.如權利要求1所述的清洗方法，其中，成份b相對于清洗組合物的總重量的含量為0.01～30.0重量％。

3.如權利要求1所述的清洗方法，其中pH為7.4～8.4。

4.如權利要求1所述的清洗方法，其中，成份c相對于清洗組合物總重量的含量為0.01～20.0重量％。

5.如權利要求1所述的清洗方法，其中，成分d為單官能性、雙官能性、三官能性或四官能性有機酸。

6.如權利要求5所述的清洗方法，其中，成分d為選自檸檬酸、乳酸、醋酸、丙酸、蘋果酸、酒石酸、丙二酸、乙二酸、琥珀酸、葡糖酸、乙醇酸、二乙醇酸、馬來酸、苯甲酸、鄰苯二甲酸、水楊酸、水楊基氧肟酸及鄰苯二甲基氧肟酸中的至少一種化合物。

7.如權利要求5所述的清洗方法，其中，成分d為羥基羧酸。

8.如權利要求7所述的清洗方法，其中，成分d為選自檸檬酸、蘋果酸、酒石酸、乙醇酸、葡糖酸及乳酸中的至少一種化合物。

9.如權利要求1所述的清洗方法，其中，成分d相對于清洗組合物的總重量的含量為0.01～20.0重量％。

10.如權利要求1所述的清洗方法，其中，pH為7.28.0。

11.如權利要求10所述的清洗方法，其中，pH為7.4～8.0。

12.如權利要求1所述的清洗方法，其中，進一步含有成分e：含氨基羧酸。

13.如權利要求12所述的清洗方法，其中，成分e為組氨酸及/或精氨酸。

14.如權利要求12所述的清洗方法，其中，成分e相對于清洗組合物的總重量的含量為0.01～5.0重量％。

15.如權利要求1所述的清洗方法，其中，所述半導體基板還含有銅。

16.清洗組合物在除去在半導體基板上形成的等離子蝕刻殘渣及/或灰化殘渣中的應用，其中，所述半導體基板含有Al和TiN，所述清洗組合物包含：

成分a：水、

成份b：羥基胺及/或其鹽、

成分c：堿性有機化合物、和

成分d：有機酸，

作為成份b單獨使用1種羥胺硫酸鹽，

成份c為四烷基氫氧化銨，

所述清洗組合物的pH為7.2～8.4。