[發明專利]應用于超級電容器的聚硒吩衍生物薄膜電極及其制備方法

有效

• 申請號: 201610804903.4
• 申請日: 2016-09-06
• 公開（公告）號: CN107799324B
• 公開（公告）日: 2019-07-16
• 發明（設計）人: 徐景坤;劉宏濤;盧寶陽;周衛強;馬秀梅;陳帥
• 申請（專利權）人: 江西科技師范大學
• 主分類號: H01G11/48
• 分類號: H01G11/48;H01G11/86
• 代理公司: 北京恩赫律師事務所 11469
• 代理人: 趙文成

1.一種應用于超級電容器的聚硒吩衍生物薄膜電極，其特征在于，由基質材料和位于所述基質材料上方的聚硒吩衍生物薄膜組成；

所述基質材料為鉑、金、不銹鋼和ITO導電玻璃中任意一種；

所述聚硒吩衍生物薄膜為單體2a-c、單體4a-f中任意一種合成，所述單體2a-c、單體4a-f的結構式分別如下：

所述單體2a-c中的X為硫，R為甲基；所述單體4a-f中的R分別為苯甲基和二苯并甲基；

所述聚硒吩衍生物薄膜電極的制備方法包括以下步驟：

步驟1：用中性有機溶劑配置摩爾濃度為0.001-0.1mol/L的單體溶液，再向單體溶液中加入支持電解質，配成支持電解質摩爾溶度為0.1-1mol/L的電化學溶液；

步驟2：將基質材料和步驟1得到的電化學溶液置入包括工作電極、對電極和參比電極的電化學反應裝置中，向溶液中通入氮氣10-30分鐘，通過恒電位法或連續循環伏安法在基質材料上得到聚硒吩衍生物層。

2.根據權利要求1所述的應用于超級電容器的聚硒吩衍生物薄膜電極，其特征在于，所述苯甲基和二苯并甲基的結構式如下：

3.權利要求1或2所述的應用于超級電容器的聚硒吩衍生物薄膜電極的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1：用中性有機溶劑配置摩爾濃度為0.001-0.1mol/L的單體溶液，再向單體溶液中加入支持電解質，配成支持電解質摩爾溶度為0.1-1mol/L的電化學溶液；

步驟2：將基質材料和步驟1得到的電化學溶液置入包括工作電極、對電極和參比電極的電化學反應裝置中，向溶液中通入氮氣10-30分鐘，通過恒電位法或連續循環伏安法在基質材料上得到聚硒吩衍生物層。

4.根據權利要求3所述的應用于超級電容器的聚硒吩衍生物薄膜電極的制備方法，其特征在于，所述步驟1中中性有機溶劑為乙腈、二氯甲烷、三氯甲烷和碳酸丙烯酯中的任意一種；所述支持電解質為四丁基四氟硼酸銨、四丁基六氟磷酸銨、四丁基高氯酸銨、四丁基氫氧化銨和高氯酸鋰中的任意一種。

5.根據權利要求3所述的應用于超級電容器的聚硒吩衍生物薄膜電極的制備方法，其特征在于，所述步驟2中工作電極為基質材料中任意一種；所述對電極為鉑材料和不銹鋼材料中任意一種；所述參比電極為Ag/AgCl。

6.根據權利要求5所述的應用于超級電容器的聚硒吩衍生物薄膜電極的制備方法，其特征在于，所述對電極與電解質溶液的接觸面積大于工作電極與電解質溶液的接觸面積。

7.根據權利要求5所述的應用于超級電容器的聚硒吩衍生物薄膜電極的制備方法，其特征在于，所述參比電極由Ag絲在6mol/L鹽酸溶液中經開路電位1.5V、100s電解制備而成。