[發(fā)明專利]形成多孔三維電極微觀結(jié)構(gòu)的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610785578.1 | 申請日： | 2012-02-28 |
| 公開（公告）號： | CN106159191A | 公開（公告）日： | 2016-11-23 |
| 發(fā)明（設計）人： | S·D·洛帕丁;D·布雷弗諾弗;E·H·劉;R·Z·巴克拉克;C·P·王 | 申請（專利權(quán)）人： | 應用材料公司 |
| 主分類號： | H01M4/02 | 分類號： | H01M4/02;H01M4/04;H01M4/134;H01M4/1395;H01M4/36;H01M4/38;H01M4/66;H01M4/62 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 侯穎媖 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 美國;US |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 形成 多孔 三維 電極 微觀 結(jié)構(gòu) 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
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