[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610776415.7
• 申請(qǐng)日: 2016-08-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107785318B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-06-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周飛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/8234
• 分類號(hào): H01L21/8234
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 高靜;吳敏

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括襯底以及位于襯底上多個(gè)分立的鰭部；所述鰭部延伸方向?yàn)榈谝环较颍怪庇诘谝环较虻臑榈诙较颍龆鄠€(gè)分立的鰭部在第一方向和第二方向呈矩陣排列；

在所述鰭部之間的襯底上形成初始隔離層，包括用于實(shí)現(xiàn)第一方向鰭部之間隔離的第一初始隔離層，以及用于實(shí)現(xiàn)第二方向鰭部之間隔離的第二初始隔離層；

去除部分厚度的第一初始隔離層形成第一隔離層，使所述第一隔離層頂部低于相鄰鰭部頂部，在所述鰭部之間形成溝槽；

在所述第一隔離層上形成填充滿所述溝槽的第二隔離層；

在高于所述鰭部頂部的第二隔離層側(cè)壁上形成保護(hù)側(cè)壁；

形成所述保護(hù)側(cè)壁后，去除部分厚度的第二初始隔離層以及部分厚度的第二隔離層，剩余的第二隔離層和第一隔離層構(gòu)成隔離結(jié)構(gòu)；

在所述隔離結(jié)構(gòu)上形成掩膜柵結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，形成第一隔離層的步驟包括：形成覆蓋所述鰭部頂部的硬掩膜層，所述硬掩膜層內(nèi)具有露出所述第一初始隔離層的圖形開(kāi)口；

以所述硬掩膜層為掩膜，去除部分厚度的第一初始隔離層，剩余的所述第一初始隔離層為所述第一隔離層。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述硬掩膜層的厚度為至

4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，形成所述第二隔離層的步驟包括：形成填充滿所述溝槽和圖形開(kāi)口的第三初始隔離層，所述第三初始隔離層還覆蓋所述硬掩膜層頂部；

采用平坦化工藝，去除高于所述硬掩膜層頂部的第三初始隔離層，剩余的所述第三初始隔離層為所述第二隔離層。

5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，形成所述第二隔離層后，去除所述硬掩膜層。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述保護(hù)側(cè)壁的材料與所述第二隔離層的材料不同。

7.如權(quán)利要求1或6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述保護(hù)側(cè)壁的材料為氮化硅、氮氧化硅或氮碳化硅。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述保護(hù)側(cè)壁的厚度為至

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，形成所述保護(hù)側(cè)壁的工藝為原子層沉積工藝。

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述保護(hù)側(cè)壁的材料為氮化硅，所述原子層沉積工藝的工藝參數(shù)包括：向原子層沉積室內(nèi)通入的前驅(qū)體為含硅和氮的前驅(qū)體，前驅(qū)體的氣體流量為500sccm至5000sccm，工藝溫度為80攝氏度至600攝氏度，壓強(qiáng)為1毫托至20托，沉積次數(shù)為8次至90次。

11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，在高于所述鰭部頂部的第二隔離層側(cè)壁上形成保護(hù)側(cè)壁的步驟包括：形成保形覆蓋所述第二隔離層頂部和側(cè)壁的保護(hù)膜，所述保護(hù)膜還覆蓋所述鰭部頂部和第二初始隔離層頂部；

采用無(wú)掩膜刻蝕工藝，去除所述第二隔離層頂部、鰭部頂部和第二初始隔離層頂部的保護(hù)膜，在所述第二隔離層側(cè)壁上形成保護(hù)側(cè)壁。