[發明專利]一種單晶體石墨材料制備提純裝置有效
| 申請號: | 201610774914.2 | 申請日: | 2016-08-31 |
| 公開(公告)號: | CN106395813B | 公開(公告)日: | 2019-02-01 |
| 發明(設計)人: | 沈宇棟;蔡峰烽;章鈺鋒 | 申請(專利權)人: | 無錫東恒新能源科技有限公司 |
| 主分類號: | C01B32/215 | 分類號: | C01B32/215 |
| 代理公司: | 南京經緯專利商標代理有限公司 32200 | 代理人: | 張惠忠 |
| 地址: | 214037 江蘇省無*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 單晶體 石墨片 反應爐 磨損板 制備 石墨材料 提純裝置 石墨 提純罐 隔層 高溫加熱 磨擦顆粒 物理磨損 振動裝置 多晶體 多層 內壁 漂浮 吸收 | ||
本發明公開了一種單晶體石墨材料制備提純裝置,包括反應爐,反應爐內設置有多層用于放置石墨片材的隔層,反應爐內壁上還設置有多個與隔層對應的磨損板,磨損板朝向隔層的面上具有磨擦顆粒,連接磨損板設置有振動裝置,所述反應爐底部設有提純罐。與現有技術相比,本發明的一種單晶體石墨材料制備提純裝置,首先將石墨片材進行高溫加熱,然后利用磨損板對石墨片材進行物理磨損,將高溫下石墨片材表面上分離出的單晶體從石墨片材上分離,完成石墨單晶體制備,而提純罐收集從石墨片材上分離的物質,利用石墨單晶體相比其他雜質或多晶體較輕的特點,吸收漂浮在提純罐上部單晶體含量較高的空氣,提取到純度較高的石墨單晶體。
技術領域
本發明涉及一種新型材料制造裝置,特別是一種單晶體石墨材料制備提純裝置,屬于新型材料制備領域。
背景技術
近年來,隨著科技的蓬勃發展,電子產品的工作性能不斷地被提升,并且電子產品的尺寸亦越來越小,而隨著電子產品的工作速度與效率的提高,這也意味著電子產品的發熱量越來越大,因此電子產品不僅需要配備相應的散熱裝置,還要確保散熱裝置具有絕佳的散熱能力,以適時地散除電子產品內部的電子組件工作時所產生的熱能,借此確保電子產品能正常運作,進而提高產品性能的可靠性及延長產品的使用壽命。
對此,石墨片 (Graphite Sheet) 因具有相對于金屬散熱片的低密度特性,以及具 有高散熱 / 導熱、絕緣抗腐蝕及低熱阻等特性,目前已成為用以幫助電子產品實現快速散 熱 / 導熱的首選材料。石墨片除了可以沿水平進行導熱,還可沿垂直方向進行導熱,特別是 石墨片為片層狀結構,因此更能適用于任何產品的表面,以利于達到更佳的散熱 /導熱的 作用。然而,在傳統的石墨片的制備過程中,通常須先對天然的石墨鱗片進行酸化處理 及連續高溫鍛燒以產生石墨蓬松片,接著靜置石墨蓬松片一特定時間以便退溫取出。之后, 還須將石墨蓬松片滾壓成預定厚度的石墨片,以完成石墨片的制備。值得注意的是,在單次 石墨片的制備過程,僅能獲得一石墨片,如此反復操作將花費大量的制備時間,這將使得石 墨片的產能效率無法提高。
如專利號為201310369027.3一種納米石墨片的制備方法,以天然鱗片石墨為原料,采用氧化劑和插層劑對天然鱗片石墨進行氧化插層處理,形成插層可膨脹石墨,采用微波加熱方式對插層可膨脹石墨進行膨化,形成膨脹石墨,其后,在有機溶劑中,采用超聲輻照對膨脹石墨進行剝離而成納米石墨片;本發明方法操作簡單,效率高,安全性好,膨脹均勻;所制備出的納米石墨片其直徑為0.5~20μm,厚度為0.35~50nm,平均厚度35nm,剝離程度高,具有卷筒形、卷曲S形、凹凸團塊形不同形貌,導熱性能良好,在有機溶劑中容易分散。
又如申請號為201410122837.3一種石墨片的制備方法,包括提供第一石墨片,并且黏附第一及第二離型基材于第一石墨片 的第一及第二表面上,接著沿第一石墨片的第一側邊分離第一及第二離型基材,以將第一石墨片分離為厚度均勻的第二及第三石墨片,之后壓實分離后的第二石墨片,且黏附第三離型基材于壓 實后的第二石墨片的分離面上,以便沿第二石墨片的第二側邊分離第一及第三離型基材,進而將第二石墨片分離為厚度均勻的第四及第五石墨片。本發明所提出的石墨片的制備方法可減少傳 統石墨片的制備時間,并且還可簡化制備流程,降低成本及減少污染。
以上兩種制備方法都均影響了石墨片晶體的物理形態和化學形態,制備出的石墨會存在特性上的偏差。
發明內容
本發明需要解決的技術問題是針對上述現有技術的不足,而提供一種單晶體石墨材料制備提純裝置。
為解決上述技術問題,本發明采用的技術方案是:
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