[發明專利]光刻殘留物的檢測方法、半導體器件制備方法在審
| 申請號： | 201610763158.3 | 申請日： | 2016-08-30 |
| 公開（公告）號： | CN107785282A | 公開（公告）日： | 2018-03-09 |
| 發明（設計）人： | 李健 | 申請（專利權）人： | 無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66;H01L21/027;H01L21/266 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務所11336 | 代理人： | 汪洋,馮永貞 |
| 地址： | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 光刻 殘留物 檢測 方法 半導體器件 制備 | ||
1.一種光刻殘留物的檢測方法，其特征在于，所述檢測方法包括：
光刻前，在晶圓的表面上形成檢測輔助材料層；
對帶有所述檢測輔助材料層的所述晶圓進行光刻；
對光刻后的所述晶圓去除所述檢測輔助材料層，對于沒有光刻殘留物的位置，所述檢測輔助材料層則被去除，對于有光刻殘留物的位置，所述檢測輔助材料層則與光刻殘留物一起被保留，如此形成臺階；
對所述晶圓進行缺陷檢測。
2.根據權利要求1所述的光刻殘留物的檢測方法，其特征在于，所述檢測輔助材料層為氧化硅薄膜。
3.根據權利要求1所述的光刻殘留物的檢測方法，其特征在于，所述檢測輔助材料層為氮氧化硅或氮化硅薄膜。
4.根據權利要求1所述的光刻殘留物的檢測方法，其特征在于，所述檢測輔助材料層的厚度為300埃。
5.根據權利要求1所述的光刻殘留物的檢測方法，其特征在于，所述光刻前，在晶圓的表面上形成所述檢測輔助材料層，為采用爐管或CVD的方法沉積。
6.根據權利要求1所述的光刻殘留物的檢測方法，其特征在于，所述對光刻后的晶圓去除所述檢測輔助材料層，為采用酸液腐蝕。
7.根據權利要求6所述的光刻殘留物的檢測方法，其特征在于，所述酸液為氫氟酸。
8.根據權利要求6所述的光刻殘留物的檢測方法，其特征在于，所述酸液為磷酸。
9.根據權利要求1所述的光刻殘留物的檢測方法，其特征在于，所述對晶圓進行缺陷檢測，為所述臺階在缺陷檢測儀器下呈現出亮白光而被檢測出來。
10.一種半導體器件的制備方法，所述方法包括權利要求1至9之一所述的光刻殘留物的檢測方法，然后進行離子注入。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
