[發明專利]曝光方法、光刻方法及半導體制造方法有效
| 申請號： | 201610755125.4 | 申請日： | 2016-08-29 |
| 公開（公告）號： | CN107783377B | 公開（公告）日： | 2020-04-07 |
| 發明（設計）人： | 王清蘊;張海 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/20 | 分類號： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 曝光 方法 光刻 半導體 制造 | ||
【權利要求書】：
1.一種曝光方法，包括：
獲得待圖形化的膜層的厚度；
判斷所述膜層的厚度是否達到第一厚度，若達到，則依據所述膜層的厚度設定曝光能量；
若未達到所述第一厚度，則獲得所述膜層的平面差異；
依據所述膜層的厚度及平面差異設定曝光能量，所述曝光能量為所述膜層的厚度能量補償、平面差異能量補償與固定值之和，所述厚度能量補償為a1*h+b，所述平面差異能量補償為(x-c)*a2，其中，a1為第一常數，b為第二常數，h為膜層的厚度，a2為第三常數，c為第四常數，x為平面差異。
2.如權利要求1所述的曝光方法，其特征在于，所述膜層為襯底。
3.如權利要求2所述的曝光方法，其特征在于，所述第一厚度為
4.如權利要求1所述的曝光方法，其特征在于，若所述膜層的厚度達到所述第一厚度，則所述曝光能量為固定值。
5.如權利要求1所述的曝光方法，其特征在于，所述曝光方法還包括：
對所述膜層涂敷光阻；
依據設定的曝光能量對所述光阻進行曝光。
6.一種光刻方法，包括：
利用如權利要求1-5中任意一項所述的曝光方法進行曝光；
對曝光后的光阻進行顯影。
7.一種半導體制造方法，包括：利用如權利要求1-5中任意一項所述的曝光方法進行加工。
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