[發明專利]封裝件結構及其制造方法

在審

• 申請號: 201610741043.4
• 申請日: 2016-08-26
• 公開（公告）號: CN106653615A
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發明（設計）人: 劉子正;劉重希;郭宏瑞;胡毓祥
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/56;H01L23/31
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,李偉

1.一種形成半導體器件的方法，所述方法包括：

在襯底上形成貫通孔，所述貫通孔延伸穿過模制材料；

在所述貫通孔和所述模制材料上方沉積介電層；

在第一曝光劑量下，在所述介電層的第一區域上實施第一曝光工藝；

在第二曝光劑量下，在所述介電層的第二區域上實施第二曝光工藝，其中，所述介電層的所述第二區域的一部分與所述介電層的所述第一區域的一部分重疊；以及

顯影所述介電層。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一曝光劑量低于所述第二曝光劑量，并且在所述第二曝光工藝之前實施所述第一曝光工藝。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，所述第一曝光劑量為100mJ/cm²至500mJ/cm²，并且所述第二曝光劑量為650mJ/cm²至1100mJ/cm²。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一曝光劑量高于所述第二曝光劑量，并且在所述第二曝光工藝之前實施所述第一曝光工藝。

5.根據權利要求4所述的方法，其中，所述第一曝光劑量為650mJ/cm²至1100mJ/cm²，并且所述第二曝光劑量為100mJ/cm²至500mJ/cm²。

6.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在所述襯底上放置管芯，所述模制材料沿著所述管芯的側壁延伸；

其中，所述介電層的所述第一區域包括位于所述管芯上面的部分。

7.根據權利要求1所述的方法，還包括在所述模制材料上方形成再分布線，并且所述再分布線通過所述介電層中的開口電連接至所述貫通孔。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，所述介電層的所述第二區域的與所述介電層的所述第一區域的部分重疊的部分位于所述貫通孔上面。

9.一種形成半導體的方法，所述方法包括：

在襯底上形成貫通孔；

沿著所述貫通孔的側壁應用模制材料；

在所述貫通孔和所述模制材料上方沉積感光層，所述感光層具有所述感光層的第一上表面，所述第一上表面具有在所述感光層的所述第一上表面的第一峰部和所述感光層的所述第一上表面的第一谷部之間的第一差異，所述第一峰部設置在所述貫通孔上方，并且所述第一谷部設置在所述模制材料上方；

在第一曝光劑量下，在所述感光層上實施第一曝光工藝；

在第二曝光劑量下，在所述感光層上實施第二曝光工藝，其中，所述第二曝光劑量不同于所述第一曝光劑量；以及

顯影所述感光層，其中，在所述顯影之后，所述第一峰部降低，從而使得所述顯影之后的所述第一峰部和所述顯影之后的所述第一谷部之間的第二差異小于所述第一差異，并且所述感光層具有暴露所述貫通孔的開口。

10.一種半導體器件，包括：

具有接觸襯墊的管芯；

第一貫通孔；

插入所述管芯和所述第一貫通孔之間的模制材料，所述模制材料沿著所述管芯和所述第一貫通孔的側壁延伸；

設置在所述第一貫通孔和所述管芯上方的介電層，所述介電層的一部分延伸至所述第一貫通孔和所述管芯的頂面下方，其中，所述介電層的上表面的高度的差異小于所述介電層的底面的高度的差異；

所述介電層中的位于所述第一貫通孔上方的第一開口；以及

所述介電層中的位于所述接觸襯墊上方的第二開口。