[發(fā)明專利]一種霍爾集成器件及其制備方法有效

申請(qǐng)?zhí)枺?/td>	201610736909.2	申請(qǐng)日：	2016-08-26
公開（公告）號(hào)：	CN106449692B	公開（公告）日：	2018-09-11
發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：	胡雙元;朱忻;黃勇	申請(qǐng)（專利權(quán)）人：	蘇州矩陣光電有限公司
主分類號(hào)：	H01L27/22	分類號(hào)：	H01L27/22;H01L43/06;H01L43/14
代理公司：	北京三聚陽(yáng)光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250	代理人：	李敏
地址：	215614 江蘇省***	國(guó)省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關(guān)鍵詞：	一種霍爾集成器件及其制備方法
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專利分類

H 電學(xué)

H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的

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專利文獻(xiàn)下載

說明：

1、專利原文基于中國(guó)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局專利說明書；

2、支持發(fā)明專利、實(shí)用新型專利、外觀設(shè)計(jì)專利（升級(jí)中）；

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