[發明專利]鈣鈦礦薄膜的低壓化學沉積的設備及其使用方法和應用在審
| 申請號: | 201610722840.8 | 申請日: | 2016-08-25 |
| 公開(公告)號: | CN107785488A | 公開(公告)日: | 2018-03-09 |
| 發明(設計)人: | 姚冀眾;顏步一 | 申請(專利權)人: | 杭州纖納光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/48 | 分類號: | H01L51/48;C23C16/44;C23C16/455;C23C16/458 |
| 代理公司: | 浙江一墨律師事務所33252 | 代理人: | 陳紅珊 |
| 地址: | 311121 浙江省杭州市余杭區*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 鈣鈦礦 薄膜 低壓 化學 沉積 設備 及其 使用方法 應用 | ||
1. 一種鈣鈦礦薄膜的低壓化學沉積的設備,包括主腔體(26),其特征在于,在所述主腔體(26)內分別設置有兩個前驅物加熱臺(9)和(13)以及基底固定槽(10),所述兩個前驅物加熱臺(9)和(13)分別靠近主腔體(26)的左右兩端部,所述基底固定槽(10)設置在兩個前驅物加熱臺(9)和(13)之間,在所述前驅物加熱臺(9)和(13)上分別設置有前驅物儲存盒(8)和(12),在所述基底固定槽(10)上放置有若干組待沉積薄膜的基底(11),每組基底(11)背靠背緊貼地放置有兩片基底(11),所述兩片基底(11)的待沉積薄膜的表面各自朝向主腔體(26)的一端;在所述主腔體(26)的左右兩端分別連通帶有載氣進氣控制閥(1)和 (22)的載氣管道,在所述主腔體(26)上還連通有抽真空裝置,在所述主腔體(26)上還設置有給基底(11)加熱的主腔體加熱裝置;在兩端的載氣管道上分別連通有溶劑蒸發裝置。
2.如權利要求1所述的鈣鈦礦薄膜的低壓化學沉積的設備,其特征在于,在所述主腔體(26)內還設置有分流隔板(27)和(28),所述分流隔板(27)和(28)分別設置在前驅物儲存盒(8)和(12)與主腔體(26)兩端部的載氣管道口之間,所述分流隔板(27)和(28)分別通過分流隔板固定槽(29)和(30)可拆卸地設置在主腔體(26)的內壁上。
3.如權利要求1或2所述的鈣鈦礦薄膜的低壓化學沉積的設備,其特征在于,所述抽真空裝置包括真空泵(15)和真空控制閥(14),所述抽真空裝置通過真空管路與主腔體(26)相連通,所述真空泵(15)和真空控制閥(14)依次設置在真空管路上,所述真空控制閥(14)更靠近主腔體(26)。
4.如權利要求1或2所述的鈣鈦礦薄膜的低壓化學沉積的設備,其特征在于,所述溶劑蒸發裝置通過溶劑管路與載氣管道相連通,所述溶劑蒸發裝置包括溶劑容器(6)和(17)、溶劑加熱臺(5)和(18)以及溶劑蒸汽控制閥(7)和(16),所述溶劑加熱臺(5)和(18)分別給溶劑容器(6)和(17)加熱,溶劑的蒸汽分別通過溶劑蒸汽控制閥(7)和(16)和溶劑管路進入載氣管道。
5.如權利要求1或2所述的鈣鈦礦薄膜的低壓化學沉積的設備,其特征在于,在所述載氣管道上還分別連通有預留功能氣裝置,所述預留功能氣裝置包括預留功能氣管路和預留功能氣進氣閥(3)和(20)。
6. 如權利要求1或2所述的鈣鈦礦薄膜的低壓化學沉積的設備,其特征在于,所述的鈣鈦礦半導體材料為ABX3 結構,其中A為胺基、脒基或者堿族中的至少一種,B為鉛、錫、鎢、銅、鋅、鎵、鍺、砷、硒、銠、鈀、銀、鎘、銦、銻、鋨、銥、鉑、金、汞、鉈、鉍、釙中至少一種的陽離子,X為碘、溴、氯、砹中的至少一種的陰離子;所述退火腔載物臺中的溶劑可為酰胺類溶劑、砜類/亞砜類溶劑、酯類溶劑、烴類、鹵代烴類溶劑、醇類溶劑、酮類溶劑、醚類溶劑、芳香烴溶劑中的任意一種。
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H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
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H01L51-54 .. 材料選擇





