[發(fā)明專利]形成深溝槽的方法和深溝槽隔離結構

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610720080.7
• 申請日: 2016-08-25
• 公開（公告）號: CN106601673B
• 公開（公告）日: 2021-06-01
• 發(fā)明（設計）人: 郭富強;陳盈薰;郭仕奇;李宗憲
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/82
• 分類號: H01L21/82
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

一種在半導體襯底中形成深溝槽的方法包括：在半導體襯底上方形成第一掩模圖案，其中，第一掩模圖案具有暴露半導體襯底的部分的第一開口；在第一掩模圖案上方形成第二掩模圖案，其中，第二掩模圖案具有與第一開口基本對準的第二開口以暴露半導體襯底的部分，并且第二開口的寬度大于第一開口的寬度以進一步暴露第一掩模圖案的部分；以及去除半導體襯底的部分、第一掩模圖案的部分和半導體襯底的位于第一掩模圖案的部分下方的另一部分以形成深溝槽。本發(fā)明實施例涉及形成深溝槽的方法和深溝槽隔離結構。

技術領域

本發(fā)明實施例涉及形成深溝槽的方法和深溝槽隔離結構。

背景技術

在過去，半導體行業(yè)使用各種方法和設備從半導體晶圓分離單獨的半導體芯片，其中，在半導體晶圓上制造芯片。通常情況下，稱為劃切或切割的技術用于沿著劃線利用金剛石切割輪部分或全部地切割穿晶圓，其中，劃線形成在單獨的芯片之間的晶圓上。

不幸的是，具有更大寬度的劃線不適于分離具有較小尺寸的半導體芯片。不斷改進以尋求用于分離具有較小尺寸的半導體芯片。

發(fā)明內容

根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，提供了一種在半導體襯底中形成深溝槽的方法，所述方法包括：在所述半導體襯底上方形成第一掩模圖案，其中，所述第一掩模圖案具有暴露所述半導體襯底的部分的第一開口；在所述第一掩模圖案上方形成第二掩模圖案，其中，所述第二掩模圖案具有與所述第一開口基本對準的第二開口以暴露所述半導體襯底的所述部分，并且所述第二開口的寬度大于所述第一開口的寬度以進一步暴露所述第一掩模圖案的部分；以及去除所述半導體襯底的所述部分、所述第一掩模圖案的所述部分和所述半導體襯底的位于所述第一掩模圖案的所述部分下方的另一部分以形成深溝槽。

根據(jù)本發(fā)明的另一些實施例，還提供了一種在半導體襯底中形成深溝槽的方法，所述方法包括：在所述半導體襯底上方形成掩模圖案，以暴露所述半導體襯底的部分，其中，所述掩模圖案具有鄰近所述半導體襯底的部分的第一部分和橫向鄰近所述第一部分的第二部分，并且所述第二部分的厚度大于所述第一部分的厚度；根據(jù)所述掩模圖案去除所述半導體襯底的部分以形成溝槽；去除所述掩模圖案的第一部分以暴露所述半導體襯底的另一部分；以及根據(jù)所述第二部分去除所述半導體襯底的其他部分和蝕刻所述溝槽以形成所述深溝槽。

根據(jù)本發(fā)明的又一些實施例，還提供了一種深溝槽隔離結構，包括：半導體襯底，具有深溝槽，其中，所述深溝槽包括第一部分和第二部分，所述第二部分與所述第一部分基本上對準并且位于所述第一部分上方，并且所述第二部分的寬度和深度大于所述第一部分的寬度；以及填充材料，位于所述深溝槽中。

附圖說明

當結合附圖進行閱讀時，根據(jù)下面詳細的描述可以更好地理解本發(fā)明的方面。應該強調的是，根據(jù)工業(yè)中的標準實踐，各個部件沒有被按比例繪制。實際上，為了清楚的討論，各種部件的尺寸可以被任意地增大或減小。

圖1A是深溝槽隔離結構的截面圖。

圖1B是在圖1A的后續(xù)階段的截面圖。

圖2A至圖2E是根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的在半導體襯底中形成深溝槽的各個階段的截面圖。

圖2F至圖2I是根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的在圖2E的階段之后的各個階段的截面圖。

圖3A至圖3D是根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的在半導體襯底中形成深溝槽的各個階段的截面圖。

具體實施方式