[發明專利]半導體結構的形成方法

有效

• 申請號: 201610667679.9
• 申請日: 2016-08-12
• 公開（公告）號: CN107731730B
• 公開（公告）日: 2020-03-10
• 發明（設計）人: 紀世良;鄭二虎
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L27/11521
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣;吳敏

1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括器件結構，所述基底暴露出所述器件結構頂部表面；

在所述基底上形成介質層；

在所述介質層上和所述器件結構頂部上形成保護層；

在所述保護層上形成犧牲層，所述介質層和犧牲層暴露出所述器件結構全部或部分頂部表面；

在所述犧牲層上和所述器件結構暴露出的頂部表面形成金屬層；

去除所述犧牲層和所述犧牲層上的金屬層。

2.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述基底還包括襯底，所述器件結構位于所述襯底上。

3.如權利要求2所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述器件結構包括：相鄰的第一柵極結構和第二柵極結構，所述第一柵極結構和第二柵極結構之間具有間隙；

所述第一柵極結構包括：第一浮柵和位于所述第一浮柵上的第一控制柵；

所述第二柵極結構包括：第二浮柵和位于所述第二浮柵上的第二控制柵。

4.如權利要求3所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述間隙的深寬比為5:1～7:1。

5.如權利要求2所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，在所述基底上形成介質層、以及位于介質層上的犧牲層的步驟包括：在所述襯底上形成介質層，所述介質層暴露出所述器件結構頂部表面；在所述介質層上形成犧牲層，所述犧牲層暴露出所述器件結構頂部表面。

6.如權利要求5所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，形成所述介質層的步驟包括：在所述襯底上形成初始介質層，所述初始介質層表面高于或齊平于所述器件結構頂部表面；

對所述初始介質層進行刻蝕，使所述初始介質層表面低于所述器件結構頂部表面，形成介質層。

7.如權利要求6所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，在所述介質層上形成犧牲層的步驟包括：

在所述器件結構和所述介質層上形成初始犧牲層；

對所述初始犧牲層進行平坦化處理，暴露出所述器件結構頂部表面。

8.如權利要求7所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，形成初始犧牲層的工藝包括：流體化學氣相沉積工藝、高密度等離子體沉積工藝或原子層沉積工藝。

9.如權利要求7所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，對所述初始犧牲層進行平坦化處理的工藝包括化學機械拋光。

10.如權利要求7所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，形成所述犧牲層之前，還包括：在所述器件結構頂部上形成保護層，所述保護層的材料與所述犧牲層的材料不同；

形成金屬層之前，還包括：通過化學機械拋光或刻蝕工藝去除所述器件結構頂部上的保護層。

11.如權利要求10所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述保護層的厚度為10埃～100埃。

12.如權利要求10所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述保護層的材料為氮化硅或氮氧化硅。

13.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，在所述基底上形成介質層、以及位于介質層上的犧牲層的步驟包括：在所述基底上形成初始介質層；在所述初始介質層上形成初始犧牲層；對所述初始介質層和所述初始犧牲層進行刻蝕，使所述初始介質層和所述初始犧牲層暴露出所述器件結構頂部表面。

14.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述基底還包括襯底，所述器件結構位于所述襯底中。

15.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述介質層和犧牲層的材料相同。