[發(fā)明專利]配置有離子檢測器的離子發(fā)生器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610665388.6 | 申請日： | 2016-08-12 |
| 公開（公告）號： | CN107732671B | 公開（公告）日： | 2019-10-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 郭宜龍;楊東 | 申請（專利權(quán)）人： | 先進科技新加坡有限公司 |
| 主分類號： | H01T23/00 | 分類號： | H01T23/00;H05F3/06;H05F3/04 |
| 代理公司： | 北京申翔知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11214 | 代理人： | 艾晶 |
| 地址： | 新加坡2*** | 國省代碼： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 配置 離子 檢測器 發(fā)生器 | ||
本發(fā)明提供一種離子發(fā)生器，所述離子發(fā)生器包括：電離室；耦合至所述電離室的進風(fēng)口；以及離子電極，所述離子電極的末端部分位于所述電離室內(nèi)部。所述離子發(fā)生器進一步包括與所述離子電極電連接的高壓發(fā)生器，所述高壓發(fā)生器用于向所述末端部分施加電離電壓，以產(chǎn)生離子。所述離子發(fā)生器還包括輸出噴嘴和離子檢測器，所述輸出噴嘴耦合至所述離子室，所述離子檢測器用于檢測所述離子室中產(chǎn)生的離子。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及用于產(chǎn)生離子的離子發(fā)生器。
背景技術(shù)
在工件的生產(chǎn)或裝配過程中，可能在工件上產(chǎn)生靜電荷，使工件帶上靜電荷。所述靜電荷可能導(dǎo)致不良效應(yīng)。例如，在電子元件的生產(chǎn)或裝配過程中，諸如半導(dǎo)體芯片、夾具的電子部件等可能由于各種原因而帶上靜電荷。所述靜電荷可能損壞所述電子元件。
通常使用離子發(fā)生器（也可稱為“離子產(chǎn)生器”或“離子產(chǎn)生裝置）以驅(qū)散所述靜電荷。將高壓施加到所述離子發(fā)生器中電極的末端部分。所述高壓利用所述電極周圍的空氣放電，從而產(chǎn)生數(shù)量均衡的正、負離子。然后，利用風(fēng)扇或空氣壓縮機將所述電離空氣吹至所述工件上。
由于高能離子對所述末端部分的沖擊，所述電極的所述末端部分隨著時間推移具有腐蝕傾向。圖1A示出了所述末端部分隨著時間的推移而發(fā)生腐蝕的情況。電極50較新，電極51已經(jīng)使用了一段時間，電極52已經(jīng)使用了更長一段時間。
除發(fā)生腐蝕外，所述電極還受到環(huán)境中塵埃顆粒及電離過程中形成的氮化物的污染。圖1B–1D示出了裝有電極53的離子發(fā)生器在9升每分鐘的氣流速率下持續(xù)使用時所述電極53隨著時間推移發(fā)生污染的情況。圖1B是所述電極53的初始圖像。圖1C是4天后所述電極53的圖像。圖1D是17天后所述電極53的圖像。
由于所述電極周圍的電場發(fā)生變化，特別是在高氣流速率下，所述腐蝕和污染可能打破正離子與負離子之間的平衡。所述腐蝕或污染還可能降低氣體電離速率或所述電離發(fā)生器排出電離氣體的流速。在嚴重的情況下，甚至可能無法從所述離子發(fā)生器中排出電離氣體。這些因素可能導(dǎo)致所述離子發(fā)生器無法產(chǎn)生足量離子以有效中和所述工件上的所述靜電荷。
發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明旨在提供改進的離子發(fā)生器，所述離子發(fā)生器可確定所述電離電極的狀況。確定所述電離電極的狀況可讓用戶了解何時更換或清潔所述電離電極，從而避免或減少發(fā)生以下情況：所述離子發(fā)生器無法產(chǎn)生足量離子以有效中和物體（如：工件）上的靜電荷。
于是，本發(fā)明提供一種離子發(fā)生器，所述離子發(fā)生器包括電離室、耦合至所述離子室的進風(fēng)口和電離電極，所述電離電極的末端部分位于所述電離室內(nèi)。所述離子發(fā)生器還包括高壓發(fā)生器，所述高壓發(fā)生器與所述電離電極電連接，所述高壓發(fā)生器用于向所述末端部分施加電離電壓以產(chǎn)生離子。所述離子發(fā)生器還包括輸出噴嘴和離子檢測器，所述輸出噴嘴耦合至所述離子室，所述離子檢測器用于檢測所述離子室中產(chǎn)生的離子。
附圖說明
參考詳細的說明，綜合考慮非限制性實施例和附圖，可以更好地理解本發(fā)明，其中：
圖1A是處于不同腐蝕階段的三個電極末端部分的圖像。
圖1B是所述電極的初始圖像。
圖1C是4天后所述電極的圖像。
圖1D是17天后所述電極的圖像。
圖2是根據(jù)本發(fā)明中實施例的所述離子發(fā)生器的立體圖。
圖3是圖2所示離子發(fā)生器拆除金屬蓋板后的立體圖。
圖4是圖2所示離子發(fā)生器的剖面?zhèn)纫晥D。
圖5是圖2所示離子發(fā)生器的插件組件與所述離子發(fā)生器主體分離時的側(cè)視圖。
圖6是如圖5所示的插件組件的立體分解圖。
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