[發(fā)明專利]4H-SiC納米帶陣列在高溫場發(fā)射陰極材料中的應用有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610653329.7 | 申請日： | 2016-08-10 |
| 公開（公告）號： | CN106128905B | 公開（公告）日： | 2018-08-31 |
| 發(fā)明（設計）人： | 楊為佑;陳春梅;陳善亮;高鳳梅 | 申請（專利權(quán)）人： | 寧波工程學院 |
| 主分類號： | H01J1/304 | 分類號： | H01J1/304;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 寧波市鄞州盛飛專利代理事務所(特殊普通合伙) 33243 | 代理人： | 張向飛 |
| 地址： | 315211 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | sic 納米 陣列 高溫 發(fā)射 陰極 材料 中的 應用 | ||
【權(quán)利要求書】：
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