[發明專利]一種在金屬氮化鎵復合襯底上制備發光二極管的方法有效
| 申請號： | 201610631817.8 | 申請日： | 2016-08-04 |
| 公開（公告）號： | CN106229389B | 公開（公告）日： | 2018-06-19 |
| 發明（設計）人： | 賈傳宇 | 申請（專利權）人： | 東莞市中鎵半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14 |
| 代理公司： | 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102 | 代理人： | 羅曉林 |
| 地址： | 523000 廣東省東莞市企*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 襯底 發光二極管 金屬氮化 復合 制備 生長 多量子阱有源區 電子阻擋層 反應室壓力 應力釋放層 發光效率 退火處理 多周期 接觸層 金屬 | ||
【說明書】：
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