[發明專利]屏蔽柵溝槽型MOSFET及其制造方法在審
| 申請號： | 201610621817.X | 申請日： | 2016-08-01 |
| 公開（公告）號： | CN106057903A | 公開（公告）日： | 2016-10-26 |
| 發明（設計）人： | 叢茂杰 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/51 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁紀鐵 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 屏蔽 溝槽 mosfet 及其 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
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