[發(fā)明專利]制造太陽(yáng)能電池的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610596438.X
• 申請(qǐng)日: 2016-06-08
• 公開（公告）號(hào): CN106252458B
• 公開（公告）日: 2017-12-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 梁榮成;權(quán)炯鎮(zhèn);金忠義;崔政勛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: LG電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18;H01L21/02
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11127
• 代理人: 李輝,劉久亮

1.一種制造太陽(yáng)能電池的方法，該方法包括以下步驟：在包括基區(qū)的半導(dǎo)體基板之上使用絕緣膜形成保護(hù)膜，所述基區(qū)具有第一導(dǎo)電類型并且由晶體硅形成，

其中，形成所述保護(hù)膜的步驟包括在包括具有鹵素元素的鹵素氣體的氣體環(huán)境下在600攝氏度或更高的熱處理溫度下執(zhí)行熱處理工藝，

其中，所述熱處理工藝包括主區(qū)間，在所述主區(qū)間期間維持所述熱處理溫度；所述主區(qū)間之前的升溫區(qū)間，在所述升溫區(qū)間期間發(fā)生從引入溫度到所述熱處理溫度的溫度上升；以及所述主區(qū)間之后的降溫區(qū)間，在所述降溫區(qū)間期間發(fā)生從所述熱處理溫度到釋放溫度的溫度下降。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述保護(hù)膜的步驟包括以下步驟：

通過在熱處理爐中執(zhí)行所述熱處理工藝來(lái)經(jīng)由熱氧化形成所述保護(hù)膜；

在低壓化學(xué)氣相沉積裝置中通過執(zhí)行所述熱處理工藝來(lái)經(jīng)由沉積形成所述保護(hù)膜；或者

通過在600攝氏度或更低的溫度下執(zhí)行形成初步保護(hù)膜的濕法化學(xué)工藝或干法工藝，并且此后經(jīng)由所述熱處理工藝在600攝氏度或更高的溫度下熱處理所述初步保護(hù)膜來(lái)形成所述保護(hù)膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述鹵素氣體包括氟、氯、溴、碘、砹和Uus中的至少一種，作為所述鹵素元素。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述鹵素氣體包括氯，作為所述鹵素元素。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述鹵素氣體包括Cl₂、C₂H₂Cl₂和HCl中的至少一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述氣體環(huán)境還包括氧氣作為源氣，使得所述保護(hù)膜包括氧化硅層，并且

其中，所包含所述鹵素氣體的量等于或小于所述氧氣的量。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述氧氣與所述鹵素氣體的體積比在從1:0.01至1:1的范圍內(nèi)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述熱處理工藝的所述熱處理溫度在從600攝氏度至900攝氏度的范圍內(nèi)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述引入溫度或所述釋放溫度在從400攝氏度至550攝氏度的范圍內(nèi)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述引入溫度或所述釋放溫度在從500攝氏度至550攝氏度的范圍內(nèi)。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，該方法還包括以下步驟：在形成所述保護(hù)膜之前，通過用摻雜劑摻雜所述半導(dǎo)體基板的內(nèi)部，來(lái)形成具有所述第一導(dǎo)電類型并且具有比所述基區(qū)的摻雜濃度更高的摻雜濃度的導(dǎo)電區(qū)域或具有與所述第一導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo)電類型的導(dǎo)電區(qū)域，

其中，在形成所述保護(hù)膜時(shí)，所述保護(hù)膜被形成在所述導(dǎo)電區(qū)域之上。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述保護(hù)膜具有在從3nm至6nm的范圍內(nèi)的厚度。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，該方法還包括以下步驟：在形成所述保護(hù)膜之前，在所述半導(dǎo)體基板的一個(gè)表面之上形成導(dǎo)電區(qū)域，所述導(dǎo)電區(qū)域具有與所述半導(dǎo)體基板的晶體結(jié)構(gòu)不同的晶體結(jié)構(gòu)，

其中，在形成所述保護(hù)膜時(shí)，所述保護(hù)膜被形成在所述導(dǎo)電區(qū)域之上。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，在形成所述導(dǎo)電區(qū)域時(shí)，具有所述第一導(dǎo)電類型的第一導(dǎo)電區(qū)域和具有與所述第一導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo)電類型的第二導(dǎo)電區(qū)域被形成在所述半導(dǎo)體基板的一個(gè)表面之上的相同平面中，并且

其中，所述保護(hù)膜覆蓋所述第一導(dǎo)電區(qū)域和所述第二導(dǎo)電區(qū)域兩者。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述保護(hù)膜具有在從3nm至6nm的范圍內(nèi)的厚度。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在形成所述保護(hù)膜時(shí)，所述保護(hù)膜是形成在所述半導(dǎo)體基板的一個(gè)表面之上的控制鈍化層，并且

其中，所述方法還包括以下步驟：在形成所述保護(hù)膜之后，在所述控制鈍化層之上形成導(dǎo)電區(qū)域。