[發明專利]電子組件封裝體

有效

• 申請號: 201610579308.5
• 申請日: 2016-07-22
• 公開（公告）號: CN107644937B
• 公開（公告）日: 2021-06-15
• 發明（設計）人: 張國彥;葉佳俊;鄭國興;吳幸怡
• 申請（專利權）人: 元太科技工業股份有限公司
• 主分類號: H01L51/10
• 分類號: H01L51/10;H01L51/05
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 馬雯雯;臧建明

1.一種電子組件封裝體，其特征在于，包括：

承載板，所述承載板包括中心區、內邊緣區以及外邊緣區，所述內邊緣區位于所述中心區與所述外邊緣區之間；

電子組件，配置于所述承載板上且位于所述中心區；

第一絕緣層，配置于所述承載板上，重疊于所述電子組件且所述第一絕緣層由所述中心區延伸至所述內邊緣區；

阻隔層，設置于所述承載板上，且所述阻隔層露出所述中心區，其中所述阻隔層包括覆蓋部、側壁接觸部以及延伸部，所述覆蓋部位于所述內邊緣區上覆蓋于所述第一絕緣層之上，所述側壁接觸部圍繞所述第一絕緣層的側表面，且所述延伸部由所述側壁接觸部以遠離所述第一絕緣層的方向延伸至所述外邊緣區；以及

顯示介質層，配置于所述電子組件和所述阻隔層的覆蓋部之上，其中所述顯示介質層與所述電子組件電性相連接并用以顯示影像。

2.根據權利要求1所述的電子組件封裝體，其特征在于，所述覆蓋部暴露出所述中心區。

3.根據權利要求1所述的電子組件封裝體，其特征在于，所述電子組件包括一有機薄膜晶體管，其中所述有機薄膜晶體管包括柵極、源極、漏極以及有機半導體有源層，所述柵極的面積重疊于所述有機半導體有源層的面積，所述第一絕緣層位于所述柵極與所述有機半導體有源層之間，所述源極與所述漏極連接所述有機半導體有源層。

4.根據權利要求1所述的電子組件封裝體，其特征在于，所述側壁接觸部覆蓋所述第一絕緣層的所述側表面。

5.根據權利要求1所述的電子組件封裝體，其特征在于，所述電子組件封裝體還包括第二絕緣層，所述第一絕緣層配置于所述第二絕緣層與所述承載板之間。

6.根據權利要求5所述的電子組件封裝體，其特征在于，所述第二絕緣層的面積超出所述第一絕緣層的所述側表面而具有側壁部分，所述側壁部分位于所述第一絕緣層的所述側表面與所述側壁接觸部之間。

7.根據權利要求1所述的電子組件封裝體，其特征在于，所述電子組件封裝體，還包括側壁阻擋結構，設置在所述內邊緣區中，且貫穿所述第一絕緣層并構成擋墻狀。

8.根據權利要求7所述的電子組件封裝體，其特征在于，所述側壁阻擋結構包括在垂直所述承載板的方向上堆疊的多個子阻擋結構。

9.根據權利要求8所述的電子組件封裝體，其特征在于，各所述多個子阻擋結構的材質包括金屬。

10.根據權利要求1所述的電子組件封裝體，其特征在于，所述阻隔層的所述延伸部在遠離所述承載板的上側形成凹凸表面。

11.根據權利要求10所述的電子組件封裝體，其特征在于，所述凹凸表面為鋸齒狀、微杯狀、階梯狀或結合上述任一種以上的組合。

12.根據權利要求1所述的電子組件封裝體，其特征在于，所述阻隔層的材料為SiNx、SiOx或多層SiNx/SiOx薄膜。

13.根據權利要求1所述的電子組件封裝體，其特征在于，所述電子組件封裝體，還包括：

有機緩沖層，配置于所述電子組件與所述承載板之間；

底阻隔層，配置于所述有機緩沖層與所述承載板之間；以及

保護層，配置于所述顯示介質層上。

14.根據權利要求13所述的電子組件封裝體，其特征在于，所述阻隔層的所述延伸部接觸所述底阻隔層。

15.根據權利要求13所述的電子組件封裝體，其特征在于，所述阻隔層的所述側壁接觸部覆蓋所述有機緩沖層的側表面。