[發明專利]一種砷化鎵低倍聚光太陽能電池有效
| 申請號: | 201610578967.7 | 申請日: | 2016-07-21 |
| 公開(公告)號: | CN106024925B | 公開(公告)日: | 2018-04-13 |
| 發明(設計)人: | 易德福;守建川 | 申請(專利權)人: | 江西德義半導體科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0304 | 分類號: | H01L31/0304;H01L31/0352;H02S40/22;H02S40/42 |
| 代理公司: | 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙)11350 | 代理人: | 湯東鳳 |
| 地址: | 344000 江西省撫*** | 國省代碼: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 砷化鎵低倍 聚光 太陽能電池 | ||
1.一種砷化鎵低倍聚光太陽能電池,其特征在于:包括低倍聚光器、砷化鎵電池組件、散熱架和水冷管道,所述砷化鎵電池組件設置在低倍聚光器的低倍聚光焦斑所在區域,所述砷化鎵電池組件包括框架和從上至下依次層壓并裝在框架內的透光保護層、第一填充層、砷化鎵電池、第二填充層和背板,所述砷化鎵電池組件的背面固定連接有若干條形散熱架,所述散熱架沿砷化鎵電池組件背面寬度方向設置,并沿砷化鎵電池組件背面長度方向均勻分布,所述散熱架之間相互平行,所述水冷管道呈盤蛇狀,所述散熱架穿過水冷管道的管壁伸入水冷管道內部,所述散熱架的橫截面呈倒立的字母T的形狀。
2.根據權利要求1所述的砷化鎵低倍聚光太陽能電池,其特征在于:所述低倍聚光器為V型槽式聚光器,所述V型槽式聚光器包括按中軸線對稱傾斜設置的兩個平面反射鏡和設置在兩個平面反射鏡頂端的透明蓋板A。
3.根據權利要求1所述的砷化鎵低倍聚光太陽能電池,其特征在于:所述低倍聚光器為復合拋物面聚光器,所述復合拋物面聚光器包括按中軸線對稱設置的兩個拋物線型反射鏡和設置在兩個拋物線型反射鏡頂端的透明蓋板B。
4.根據權利要求1所述的砷化鎵低倍聚光太陽能電池,其特征在于:所述砷化鎵電池由上至下依次為正電極、窗口層、發射層、GaAs層、背場、緩沖層、N型襯底、背面電極。
5.根據權利要求1所述的砷化鎵低倍聚光太陽能電池,其特征在于:所述透光保護層采用強化玻璃或透明薄膜材料制成。
6.根據權利要求1所述的砷化鎵低倍聚光太陽能電池,其特征在于:所述第一填充層和第二填充層均采用熱可塑性樹脂EVA材料制成。
7.根據權利要求1所述的砷化鎵低倍聚光太陽能電池,其特征在于:所述框架采用鋁材料制成。
8.根據權利要求1所述的砷化鎵低倍聚光太陽能電池,其特征在于:所述水冷管道的一端為進水口,另一端為出水口。
9.根據權利要求1所述的砷化鎵低倍聚光太陽能電池,其特征在于:所述背板采用TPT聚氟乙烯復合膜材料制成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





