[發明專利]一種制備過氧化氫用單晶半導體氧化物陽極及電解槽有效
| 申請號： | 201610568099.4 | 申請日： | 2016-07-19 |
| 公開（公告）號： | CN105970247B | 公開（公告）日： | 2018-06-08 |
| 發明（設計）人： | 李國嶺 | 申請（專利權）人： | 李國嶺 |
| 主分類號： | C25B1/30 | 分類號： | C25B1/30;C25B11/06 |
| 代理公司： | 洛陽公信知識產權事務所(普通合伙) 41120 | 代理人： | 孫笑飛 |
| 地址： | 471023 河南省洛陽市洛龍*** | 國省代碼： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電解槽 半導體氧化物層 單晶半導體 氧化物陽極 陽極 導電玻璃 過氧化氫 基板 制備 堿性電解液 光照條件 電極 單晶片 導電膜 釩酸鉍 陽極區 陰極區 槽壁 晶向 摻雜 承載 覆蓋 | ||
【說明書】：
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