[發明專利]B摻雜SiC納米線在場發射陰極材料中的應用有效
| 申請號： | 201610566819.3 | 申請日： | 2016-07-15 |
| 公開（公告）號： | CN106057606B | 公開（公告）日： | 2019-03-08 |
| 發明（設計）人： | 楊為佑;陳善亮;高鳳梅;鄭金桔;楊祚寶 | 申請（專利權）人： | 寧波工程學院 |
| 主分類號： | H01J1/304 | 分類號： | H01J1/304;H01J9/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 寧波市鄞州盛飛專利代理事務所(特殊普通合伙) 33243 | 代理人： | 張向飛 |
| 地址： | 315016 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 摻雜 sic 納米 在場 發射 陰極 材料 中的 應用 | ||
【權利要求書】：
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