[發明專利]具有低導通電阻的橫向功率集成器件

有效

• 申請號: 201610566725.6
• 申請日: 2016-07-18
• 公開（公告）號: CN106935647B
• 公開（公告）日: 2021-08-17
• 發明（設計）人: 樸柱元;高光植;李相賢
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士系統集成電路有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/423
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理有限公司 11363
• 代理人: 王建國;許偉群

1.一種橫向功率集成器件，包括：

源極區和漏極區，它們設置在半導體層內，并且在溝道長度方向上彼此間隔開，其中，半導體層具有第一導電性，其中，源極區和漏極區中的每個具有第二導電性；

漂移區，具有第二導電性，設置在半導體層內，并且包圍漏極區；

溝道區，在溝道長度方向上布置在源極區與漂移區之間；

多個平面絕緣場板，它們設置在漂移區之上，并且在溝道寬度方向上彼此間隔開，其中，溝道寬度方向與溝道長度方向相交；

多個溝槽絕緣場板，它們設置在漂移區內，其中，溝槽絕緣場板中的每個在溝道寬度方向上設置在平面絕緣場板之間；

柵絕緣層，形成在溝道區之上；以及

柵電極，形成在柵絕緣層之上，

其中，沿著溝道寬度方向交替地布置多個平面絕緣場板和多個溝槽絕緣場板。

2.根據權利要求1所述的橫向功率集成器件，其中，平面絕緣場板中的每個具有位于與漂移區的上表面基本上相同的水平處的下表面。

3.根據權利要求2所述的橫向功率集成器件，

其中，溝槽絕緣場板中的每個具有位于與漂移區的上表面基本上相同的水平處的上表面。

4.根據權利要求3所述的橫向功率集成器件，還包括：

累積區，設置在漂移區內，并且設置在溝道區與平面絕緣場板之間以及溝道區與溝槽絕緣場板之間。

5.根據權利要求4所述的橫向功率集成器件，

其中，柵絕緣層和柵電極中的每個在溝道長度方向上還在累積區之上延伸。

6.根據權利要求5所述的橫向功率集成器件，

其中，柵絕緣層在溝道長度方向上還在溝槽絕緣場板之上延伸；以及

其中，柵電極在溝道長度方向上還在平面絕緣場板和溝槽絕緣場板之上延伸。

7.根據權利要求6所述的橫向功率集成器件，還包括：

多個柵延伸部，它們從柵電極起延伸至溝槽絕緣場板之上。

8.根據權利要求7所述的橫向功率集成器件，

其中，第二柵延伸部在溝道寬度方向上彼此間隔開。

9.根據權利要求7所述的橫向功率集成器件，

其中，柵延伸部不與平面絕緣場板重疊。

10.根據權利要求1所述的橫向功率集成器件，

其中，在溝道寬度方向上測量的平面絕緣場板中的每個的寬度與在溝道寬度方向上測量的溝槽絕緣場板中的每個的寬度基本上相等。

11.根據權利要求1所述的橫向功率集成器件，

其中，在溝道寬度方向上測量的平面絕緣場板中的每個的寬度小于在溝道寬度方向上測量的溝槽絕緣場板中的每個的寬度。

12.根據權利要求1所述的橫向功率集成器件，

其中，在溝道寬度方向上測量的平面絕緣場板中的每個的寬度大于在溝道寬度方向上測量的溝槽絕緣場板中的每個的寬度。

13.根據權利要求1所述的橫向功率集成器件，

其中，平面絕緣場板的側壁和溝槽絕緣場板的側壁中的每個與漏極區的側壁對齊。

14.根據權利要求13所述的橫向功率集成器件，

其中，在溝道長度方向上測量的平面絕緣場板中的每個的長度與在溝道長度方向上測量的溝槽絕緣場板中的每個的長度基本上相等。

15.根據權利要求13所述的橫向功率集成器件，

其中，在溝道長度方向上測量的平面絕緣場板中的每個的長度大于在溝道長度方向上測量的溝槽絕緣場板中的每個的長度。