[發(fā)明專利]半導體工藝控制方法、裝置及半導體工藝設備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610529502.2 | 申請日: | 2016-07-06 |
| 公開(公告)號: | CN107591343A | 公開(公告)日: | 2018-01-16 |
| 發(fā)明(設計)人: | 劉悅 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京博雅睿泉專利代理事務所(特殊普通合伙)11442 | 代理人: | 馬佑平,楊國權 |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 工藝 控制 方法 裝置 工藝設備 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及微電子技術領域,更具體地,本發(fā)明涉及一種半導體工藝控制方法、裝置、及設置有該種裝置的半導體工藝設備。
背景技術
半導體工藝例如指外延工藝、刻蝕工藝等工藝過程,在工藝過程中,要對腔室內(nèi)氣體環(huán)境和腔室溫度進行嚴格的控制才能保證工藝結果,因此半導體工藝中腔室內(nèi)氣體環(huán)境和腔室溫度控制對工藝質(zhì)量的影響至關重要。而現(xiàn)有半導體控制系統(tǒng)未對腔室工藝狀態(tài)依據(jù)腔室內(nèi)氣體環(huán)境、腔室溫度進行區(qū)分,工藝執(zhí)行之前腔室所處的狀態(tài)不一致,無論當前腔室是否處于適合當前工藝的狀態(tài),均可直接進行工藝,這樣,會對工藝結果產(chǎn)生不良影響。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例的一個目的是提供一種解決現(xiàn)有工藝控制不能在半導體工藝開始之前保證腔室狀態(tài)一致性的新技術方案。
根據(jù)本發(fā)明的第一方面,提供了一種半導體工藝控制方法,包括:
檢測當前腔室狀態(tài)是否為當前工藝的激活狀態(tài),如否,則控制當前腔室狀態(tài)轉變?yōu)樗黾せ顮顟B(tài);其中,所述激活狀態(tài)包括:腔室內(nèi)氣體環(huán)境及腔室溫度滿足當前工藝要求;
在當前腔室狀態(tài)為所述激活狀態(tài)時,檢測當前工藝的配方文件是否有效,如是,則獲取所述配方文件中的工藝參數(shù);
檢測所述工藝參數(shù)是否合法,如是,則控制對應當前工藝的設備執(zhí)行所述配方文件中的工藝流程。
優(yōu)選的是,所述控制對應當前工藝的設備執(zhí)行所述配方文件中的工藝流程包括:
獲取所述工藝流程中開始執(zhí)行的當前工藝的工藝步驟;
向所述設備下發(fā)所述工藝步驟中設定的工藝參數(shù);
檢測是否達到設定的完成所述工藝步驟的時間,如是,則:
檢測所述當前工藝的所有工藝步驟是否執(zhí)行完畢,如否,則開始執(zhí)行所述當前工藝的下一工藝步驟。
優(yōu)選的是,所述方法還包括:
在控制對應當前工藝的設備執(zhí)行所述配方文件中的工藝流程的過程之前,檢測所述設備是否正常,如是,則控制對應當前工藝的設備執(zhí)行所述配方文件中的工藝流程;如否,則進行報警提示并停止執(zhí)行所述工藝流程。
優(yōu)選的是,所述方法還包括:
在控制對應當前工藝的設備執(zhí)行所述配方文件中的工藝流程的過程中,檢測是否接收到控制工藝流程的信號,若是,則執(zhí)行對應所述信號的操作。
優(yōu)選的是,所述控制工藝流程的信號包括暫停當前工藝步驟的信號、恢復當前工藝步驟的信號、跳轉至下一工藝步驟的信號、終止工藝流程的信號、重新運行當前工藝步驟的信號中的至少一種。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面,提供了一種半導體工藝控制裝置,其包括:
腔室狀態(tài)檢測模塊,用于檢測當前腔室狀態(tài)是否為當前工藝的激活狀態(tài);
腔室狀態(tài)轉變模塊,用于在所述當前腔室狀態(tài)未處于當前工藝的激活狀態(tài)時,控制當前腔室狀態(tài)轉變?yōu)樗黾せ顮顟B(tài);
配方文件檢測模塊,用于當前腔室狀態(tài)為所述激活狀態(tài)的情況下,檢測當前工藝的配方文件是否有效;
工藝參數(shù)獲取模塊,用于在所述配方文件有效的情況下,獲取配方文件中的工藝參數(shù);
工藝參數(shù)檢測模塊,用于檢測所述工藝參數(shù)是否合法;以及,
工藝流程執(zhí)行模塊,用于所述工藝參數(shù)合法時,控制對應當前工藝的設備執(zhí)行所述配方文件中的工藝流程。
優(yōu)選的是,所述工藝流程執(zhí)行模塊包括:
工藝步驟獲取單元,用于獲取所述工藝流程中開始執(zhí)行的當前工藝的工藝步驟;
工藝參數(shù)下發(fā)單元,用于向所述設備下發(fā)所述工藝步驟中設定的工藝參數(shù);
工藝時間檢測單元,用于檢測是否達到設定的完成所述工藝步驟的時間;
工藝步驟檢測單元,用于在達到設定的完成所述工藝步驟的時間的情況下,檢測所述當前工藝的所有工藝步驟是否執(zhí)行完畢;以及,
工藝步驟切換單元,用于所述當前工藝的所有工藝步驟未執(zhí)行完畢時,開始執(zhí)行下一步驟。
優(yōu)選的是,所述工藝流程執(zhí)行模塊還包括:
設備檢測單元,用于在控制對應當前工藝的設備執(zhí)行所述配方文件中的工藝流程之前,檢測所述設備是否正常,如是,則控制對應當前工藝的設備執(zhí)行所述配方文件中的工藝流程;如否,則進行報警提示并停止執(zhí)行所述工藝流程。
優(yōu)選的是,所述工藝流程執(zhí)行模塊還包括:
信號檢測單元,用于檢測是否接收到控制工藝流程的信號,若是,則執(zhí)行對應所述信號的操作。
根據(jù)本發(fā)明的第三方面,提供了一種半導體工藝設備,其包括加熱裝置、進氣裝置和排氣裝置,所述設備還包括上述任一所述裝置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





