[發(fā)明專利]虛光子催化裝置和使用該催化裝置進行催化處理的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610518807.3 | 申請日： | 2016-07-04 |
| 公開（公告）號： | CN107570095B | 公開（公告）日： | 2020-07-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 萬喻;萬曉毛;李昕 | 申請（專利權(quán)）人： | 哈爾濱萬宇科技股份有限公司 |
| 主分類號： | B01J19/08 | 分類號： | B01J19/08;B01J19/12;F02M27/04;C02F1/48 |
| 代理公司： | 北京億騰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11309 | 代理人： | 陳霽 |
| 地址： | 150060 黑龍*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 光子 催化 裝置 使用 進行 處理 方法 | ||
1.一種虛光子催化裝置，基于磁場中的虛光子效應(yīng)，包括：
殼體；
內(nèi)置于所述殼體的催化單元包括矩形磁體組、隔磁片、磁力增強柱和導(dǎo)磁靴，所述矩形磁體組中的矩形磁體的SS極或NN極相對，形成相應(yīng)的磁場，磁場中心磁力線趨于接近零，所述導(dǎo)磁靴將磁場從磁場中心傳導(dǎo)并集中到磁場邊緣；所述磁力增強柱用于增強磁場中心到磁場邊緣的磁力；由此在所述磁場邊緣形成磁力線的增強；其中，所述導(dǎo)磁靴兩端和所述導(dǎo)磁靴中心壁連接處之間的角度的范圍為91度-180度之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的催化裝置，其特征在于，所述導(dǎo)磁靴兩端和所述導(dǎo)磁靴中心壁連接處之間優(yōu)選的角度為145度。
3.一種使用根據(jù)權(quán)利要求1至2中任一項的虛光子催化裝置進行催化處理的方法，包括以下步驟：
a)通過輸入管道接受待催化的物質(zhì)；
b)通過內(nèi)置于殼體的催化單元增強所述催化裝置的磁力,所述催化單元包括矩形磁體組、磁力增強柱和導(dǎo)磁靴，所述矩形磁體組中的矩形磁體的SS極、NN極相對，形成相應(yīng)的磁場，磁場中心磁力線趨于接近零，所述磁力增強柱用于增強所述磁場中心到相應(yīng)的磁場邊緣的磁力，所述導(dǎo)磁靴將磁場從所述磁場中心傳導(dǎo)并集中到所述相應(yīng)的磁場邊緣，其中，所述導(dǎo)磁靴兩端和所述導(dǎo)磁靴中心壁連接處之間的角度的范圍為91度-180度之間；
c)通過與所述輸入管道相連的輸出管道，輸出經(jīng)催化處理所得到的物質(zhì)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述導(dǎo)磁靴兩端和所述導(dǎo)磁靴中心壁連接處之間優(yōu)選的角度為145度。
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