[發(fā)明專利]硅片表面吹干裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610507777.6 | 申請(qǐng)日: | 2016-06-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107564832A | 公開(公告)日: | 2018-01-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 崔敏娟 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 崔敏娟 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司11332 | 代理人: | 張海英 |
| 地址: | 214177 江蘇省*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 硅片 表面 吹干 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及光伏領(lǐng)域,尤其涉及一種硅片表面吹干裝置。
背景技術(shù)
目前,硅片在生產(chǎn)過(guò)程中,需經(jīng)過(guò)吹干工序,用于將硅片表面吹干,現(xiàn)有市場(chǎng)上的硅片表面吹干裝置存在結(jié)構(gòu)復(fù)雜、成本高,效率低的問(wèn)題,由此,急需解決。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于針對(duì)上述問(wèn)題,提供一種硅片表面吹干裝置,以解決現(xiàn)有硅片表面吹干裝置結(jié)構(gòu)復(fù)雜、成本高、效率低的問(wèn)題。
本發(fā)明的目的是通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn):
一種硅片表面吹干裝置,包括機(jī)座,所述機(jī)座上轉(zhuǎn)動(dòng)連接有上輥軸、下輥軸,所述上輥軸上安裝有上輥輪,所述下輥軸上安裝有下輥輪,所述上輥輪、下輥輪之間形成有用于運(yùn)輸硅片的輸送輥道,機(jī)座上位于上輥輪的上部安裝有上氣管,所述上氣管與上氣源相連,且上氣管上均布有若干個(gè)上出氣孔,所述機(jī)座上位于下輥輪的下部安裝有下氣管,所述下氣管與下氣源相連,且下氣管上均布有若干個(gè)下出氣孔。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案,所述上氣管與上氣源相連的管路上設(shè)置有上壓力調(diào)節(jié)閥,所述下氣管與下氣源相連的管路上設(shè)置有下壓力調(diào)節(jié)閥。
本發(fā)明的有益效果為,所述硅片表面吹干裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易于實(shí)現(xiàn),通過(guò)設(shè)置上氣管、下氣管,可同時(shí)對(duì)硅片的兩面進(jìn)行吹干,大大提高了效率。
附圖說(shuō)明
圖1為本發(fā)明硅片表面吹干裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖中:
1、機(jī)座;2、上輥軸;3、下輥軸;4、上輥輪;5、下輥輪;6、上氣管;7、上氣源;8、上壓力調(diào)節(jié)閥;9、上出氣孔;10、下氣管;11、下氣源;12、下壓力調(diào)節(jié)閥;13、下出氣孔。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖并通過(guò)具體實(shí)施方式來(lái)進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案。可以理解的是,此處所描述的實(shí)施例僅僅用于解釋本發(fā)明,而非對(duì)本發(fā)明的限定。
請(qǐng)參照?qǐng)D1所示,圖1為本發(fā)明硅片表面吹干裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
于本實(shí)施例中,一種硅片表面吹干裝置,包括機(jī)座1,所述機(jī)座1上轉(zhuǎn)動(dòng)連接有上輥軸2、下輥軸3,所述上輥軸2上安裝有上輥輪4,所述下輥軸3上安裝有下輥輪5,所述上輥輪4、下輥輪5之間形成有用于運(yùn)輸硅片的輸送輥道,機(jī)座1上位于上輥輪4的上部安裝有上氣管6,所述上氣管6與上氣源7相連,且上氣管6與上氣源7相連的管路上設(shè)置有上壓力調(diào)節(jié)閥8,所述上氣管6上均布有若干個(gè)上出氣孔9,所述機(jī)座1上位于下輥輪5的下部安裝有下氣管10,所述下氣管10與下氣源11相連,且下氣管10與下氣源11相連的管路上設(shè)置有下壓力調(diào)節(jié)閥12,所述下氣管10上均布有若干個(gè)下出氣孔13。
上述硅片表面吹干裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易于實(shí)現(xiàn),通過(guò)設(shè)置上氣管6、下氣管10,可同時(shí)對(duì)硅片的兩面進(jìn)行吹干,大大提高了效率。
以上實(shí)施例只是闡述了本發(fā)明的基本原理和特性,本發(fā)明不受上述實(shí)施例限制,在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下,本發(fā)明還有各種變化和改變,這些變化和改變都落入要求保護(hù)的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書界定。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于崔敏娟,未經(jīng)崔敏娟許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610507777.6/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





