[發(fā)明專利]具有限制通道的流體噴射設(shè)備及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610490850.3 | 申請(qǐng)日： | 2016-06-28 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN106807568B | 公開（公告）日： | 2019-11-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | D·朱斯蒂;L·科羅姆伯;C·L·佩瑞里尼;M·卡塔內(nèi)奧 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 意法半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | B05B13/00 | 分類號(hào)： | B05B13/00;B05B12/00 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律師事務(wù)所 | 代理人： | 王茂華;董典紅<國(guó)際申請(qǐng)>=<國(guó)際公布> |
| 地址： | 意大利阿格*** | 國(guó)省代碼： | 意大利;IT |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 限制 通道 流體 噴射 設(shè)備 及其 制造 方法 | ||
1.一種流體噴射設(shè)備(1)，包括：
-第一半導(dǎo)體本體(2)，包括：致動(dòng)器(3)，操作性地耦合至室(6)，所述室用于包含流體并被配置為在所述噴射設(shè)備的操作條件期間引起所述流體的噴射；以及用于所述流體的入口通道(11a)，在第一方向(Z)上延伸并具有第一尺寸(A1)的截面；以及
-第二半導(dǎo)體本體(8)，耦合至所述第一半導(dǎo)體本體(2)，具有與所述室(6)流體連接且被配置為朝向所述噴射設(shè)備(1)外部的環(huán)境排出所述流體的量的噴射噴嘴(13)，
其特征在于，所述第二半導(dǎo)體本體(8)還包括第一限制通道(16)，所述第一限制通道流體地耦合至所述入口通道(11a)、在與所述第一方向(Z)垂直的第二方向(X)上延伸并具有小于所述第一尺寸(A1)的第二尺寸(A3)的相應(yīng)截面，所述限制通道(16)針對(duì)所述流體形成將所述入口通道(11a)與所述室(6)耦合的流體路徑。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的流體噴射設(shè)備，其中，所述入口通道(11a)的截面的尺寸在所述入口通道(11a)的整個(gè)延伸中是恒定的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的流體噴射設(shè)備，其中，所述第一限制通道(16)的截面的尺寸在所述第一限制通道(16)的整個(gè)延伸中是恒定的。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的流體噴射設(shè)備，其中，所述入口通道(11a)的截面的尺寸包括在20μm和200μm之間，并且所述限制通道(16)的截面的尺寸包括在2μm和300μm之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的流體噴射設(shè)備，其中，所述第一限制通道(16)與所述入口通道(11a)直接流體連接；
以及其中，所述第一限制通道(16)的截面的尺寸可變，并且在所述第一限制通道(16)流體連接到所述入口通道(11a)的情況下為呈現(xiàn)最大值。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的流體噴射設(shè)備，其中，所述噴射噴嘴(13)被配置為在與所述第一方向(Z)平行且垂直于所述第二半導(dǎo)體本體(8)的所在平面(XY)的噴射方向上噴射所述流體，所述第二方向(X)與所述第二半導(dǎo)體本體(8)的所在平面(XY)平行。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的流體噴射設(shè)備，其中，所述第一半導(dǎo)體本體(2)還包括用于所述流體的出口通道(11b)，所述出口通道在離所述入口通道(11a)的一距離處延伸且與所述入口通道(11a)平行并且流體地耦合至所述室(6)，以實(shí)現(xiàn)對(duì)未經(jīng)由所述噴射噴嘴(13)被排出的所述流體的再循環(huán)；
以及其中，所述第二半導(dǎo)體本體(8)還包括第二限制通道(18)，所述第二限制通道與所述第一限制通道(16)共面并且被配置為將所述室(6)與所述出口通道(11b)流體耦合，
所述限制通道(18)的相應(yīng)截面的尺寸(A3)小于所述出口通道(11b)的截面的尺寸。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的流體噴射設(shè)備，還包括第三半導(dǎo)體本體(4)，所述第三半導(dǎo)體本體被布置在所述第一半導(dǎo)體本體(2)上，所述第三半導(dǎo)體本體包括入口歧管(9a)，所述入口歧管在所述第一方向(Z)中延伸作為所述入口通道(11a)的延長(zhǎng)并具有第三尺寸(A2)的相應(yīng)截面，所述第三尺寸大于所述入口通道(11a)的截面的第一尺寸(A1)且大于所述限制通道(16)的截面的第二尺寸(A3)。
9.根據(jù)權(quán)利要求7和8中任一項(xiàng)所述的流體噴射設(shè)備，其中，所述第三半導(dǎo)體本體(4)還包括出口歧管(9b)，所述出口歧管與所述第一方向(Z)平行延伸作為所述出口通道(11b)的延長(zhǎng)并具有比所述出口通道(11b)的截面的尺寸(A1)大的尺寸(A2)的相應(yīng)截面。
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