[發明專利]一種晶圓薄化制備工藝

有效

• 申請號: 201610489993.2
• 申請日: 2016-06-28
• 公開（公告）號: CN107546104B
• 公開（公告）日: 2020-10-27
• 發明（設計）人: 楊士慶;黃建雄;鄒朝琮;林政諺
• 申請（專利權）人: 昇陽國際半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司 11139
• 代理人: 孫皓晨

本發明涉及一種晶圓薄化制備工藝，屬于半導體技術領域，其步驟包括：S1研磨晶圓，研磨晶圓的一面，使該晶圓被研磨至第一預定厚度；S2蝕刻晶圓，對具有該第一厚度的晶圓的被研磨面進行蝕刻，以使該晶圓被蝕刻至一第二預定厚度；S3去除晶圓外周部，對具有第二預定厚度的晶圓，去除晶圓外周部分。本發明通過對晶圓進行單次研磨蝕刻，從而有效減少了晶圓薄化過程中所產生的內應力，減少了破片率，增加了成品率。

技術領域

本發明涉及一種晶圓薄化制備工藝，特別涉及一種利用研磨與蝕刻的技術手段進行晶圓薄化的制備工藝，屬于半導體技術領域。

背景技術

現有的晶圓制備工藝不斷朝著薄型化的趨勢發展，但現有的薄型化制備工藝大多利用研磨方式將晶圓薄化，然而晶圓在薄型化的制備工藝中往往會面臨著破片的問題或者產能較低的問題。

現有解決晶圓破片的方式，是在晶圓的下方放置一支撐架，當研磨晶圓時，位于晶圓下方的支撐架能夠給予晶圓一定的支撐力，以預防晶圓破片。因為晶圓破片往往是在研磨或蝕刻過程中所產生的內應力造成的。

但上述支撐架所能達到降低破片的機率有限，使用支撐架的晶圓的破片率仍偏高。另外，支撐架的單價也較高，若大量使用于晶圓的制備工藝，對廠商而言，其無形中增加了制備成本。

發明內容

鑒于先有技術中的不足，本發明的目的在于提供一種低破片率、低成本的晶圓薄化制備工藝。該制備工藝首先對晶圓進行研磨，再對晶圓進行蝕刻，以有效減少晶圓減薄過程中產生內應力，以及無須使用支撐架，減少破片機率，并增加成品率。

為達到上述目的，本發明的技術手段在于提供一種晶圓薄化制備工藝，其步驟如下：

一種晶圓薄化制備工藝，其特征在于，該工藝包括以下步驟：

S1研磨晶圓，研磨晶圓的一面至第一預定厚度；

S2蝕刻晶圓，蝕刻具有該第一預定厚度的晶圓的被研磨面至第二預定厚度；

S3去除晶圓外周部，對具有第二預定厚度的晶圓，去除晶圓外周部分。

所述的步驟S1研磨晶圓中，對該晶圓未貼附于膜體的一面的外周保留數毫米，而僅研磨該晶圓的中央部分或者將該晶圓黏置于一晶圓環，并對該晶圓未貼附于膜體的一面進行研磨。

所述的S1研磨晶圓的具體步驟包括：

S1A進料檢驗，對一即將進行研磨的晶圓進行檢驗程序；

S1B晶圓貼膜，將該即將進行研磨的晶圓貼附于一膜體；

S1C晶圓研磨，對該晶圓的未貼附有該膜體的一面進行研磨至該晶圓達到第一預定厚度，該晶圓的外周部保留數毫米未被研磨。

所述第二預定厚度的范圍為10±4μm～700±4μm。

所述的步驟S2蝕刻晶圓中，蝕刻為濕式蝕刻。

所述的S2蝕刻晶圓的具體步驟包括：

S2A化學濕式蝕刻，使用蝕刻液對已研磨至該第一預定厚度的晶圓的一面進行濕式蝕刻，使該晶圓被蝕刻至該第二預定厚度，所述蝕刻液為本領域常見蝕刻液；

S2B第一次清洗晶圓，對該晶圓進行第一次清洗；

S2C第一次干燥，對該晶圓進行第一次離心脫水干燥。

S2D表面粗度蝕刻，對該晶圓再次進行如S2A的化學濕式蝕刻，使該晶圓的被蝕刻面的粗度增加；

S2E第二次清洗晶圓，對該晶圓進行第二次清洗；

S2F第二次干燥晶圓，對該晶圓進行第二次離心脫水干燥。

S2G酸洗晶圓，以酸液對該晶圓進行清洗；