[發明專利]一種場氧化層的平坦化方法有效
| 申請號： | 201610461459.0 | 申請日： | 2016-06-22 |
| 公開（公告）號： | CN107527810B | 公開（公告）日： | 2020-07-14 |
| 發明（設計）人： | 馬萬里 | 申請（專利權）人： | 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/311 | 分類號： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人： | 陶敏;劉芳 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 氧化 平坦 方法 | ||
1.一種場氧化層的平坦化方法，其特征在于，包括如下順序進行的步驟：
在硅襯底上依次形成氧化層和氮化硅層；
光刻、刻蝕，在所述氮化硅層上形成場氧化層圖形；
在所述場氧化層圖形上形成場氧化層；
刻蝕部分場氧化層和全部氮化硅層，并使殘留場氧化層的上表面不低于所述氧化層的上表面；
去除所述氧化層和部分場氧化層，使殘留場氧化層的上表面與所述硅襯底的上表面齊平；
所述去除所述氧化層和部分場氧化層包括：采用氫氟酸溶液對所述氧化層和部分場氧化層進行腐蝕。
2.根據權利要求1所述的平坦化方法，其特征在于，所述刻蝕部分場氧化層和全部氮化硅層，并使殘留場氧化層的上表面不低于所述氧化層的上表面，包括如下順序進行的步驟：
濕法刻蝕部分場氧化層，并使殘留場氧化層的上表面高于所述氧化層的上表面；
濕法刻蝕全部氮化硅層。
3.根據權利要求2所述的平坦化方法，其特征在于，采用氫氟酸溶液濕法刻蝕部分場氧化層，并且采用濃磷酸濕法刻蝕全部氮化硅層。
4.根據權利要求3所述的平坦化方法，其特征在于，所述濃磷酸的溫度為160-200℃。
5.根據權利要求1所述的平坦化方法，其特征在于，所述刻蝕部分場氧化層和全部氮化硅層，并使殘留場氧化層的上表面不低于所述氧化層的上表面，包括：
干法刻蝕部分場氧化層和全部氮化硅層，并且控制所述干法刻蝕對所述場氧化層與所述氮化硅層的刻蝕速率之比為n：m；其中，n為所述場氧化層厚度的1/2，m為所述氮化硅層的厚度。
6.根據權利要求5所述的平坦化方法，其特征在于，控制所述干法刻蝕的縱向刻蝕速率與橫向刻蝕速率之比為(2-3)：1。
7.根據權利要求5所述的平坦化方法，其特征在于，所述n：m的范圍為(0.25-1)：(0.05-0.2)。
8.根據權利要求1至7任一所述的平坦化方法，其特征在于，所述氧化層的厚度為0.01-0.20um，生長溫度為900-1200℃；所述氮化硅層的厚度為0.05-1.0um，生長溫度為500-1000℃。
9.根據權利要求1至7任一所述的平坦化方法，其特征在于，所述場氧化層的厚度為0.1-5.0um，生長溫度為900-1200℃。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
