[發明專利]一種復合抗氧化涂層及其制備方法在審
| 申請號: | 201610452684.8 | 申請日: | 2016-06-21 |
| 公開(公告)號: | CN107522508A | 公開(公告)日: | 2017-12-29 |
| 發明(設計)人: | 范佳晨;趙云龍;徐丹;徐凱;徐再;趙維達 | 申請(專利權)人: | 張家港市山牧新材料技術開發有限公司 |
| 主分類號: | C04B41/89 | 分類號: | C04B41/89 |
| 代理公司: | 常州市維益專利事務所(普通合伙)32211 | 代理人: | 陸華君 |
| 地址: | 215625 江蘇省蘇州市張家港市*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 復合 氧化 涂層 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本申請涉及一種復合抗氧化涂層及其制備方法。
背景技術
碳化硅晶須是一種高模量、強度高、硬度大、耐磨、耐腐蝕、耐高溫的輕質結構材料,主要用于制備陶瓷基、金屬基、樹脂基等復合材料,以提高材料的強度、硬度、抗磨等性能,在宇航、原子能、汽車、船舶、新材料、化學、電力、石油、電子、環境、機械、冶金等工業領域有著廣泛的用途。目前,最普遍的應用是碳化硅晶須增強增韌氧化鋁和氮化硅制做切削刀具、壓模充頭等。
碳材料在氧化環境下的快速氧化嚴重影響了碳材料優異性能的發揮,大大限制了其在高溫氧化性氣氛中的應用,因此提高碳材料的抗氧化性能具有重要意義。
發明內容
本發明的目的在于提供一種復合抗氧化涂層及其制備方法,以克服現有技術中的不足。
為實現上述目的,本發明提供如下技術方案:
本申請實施例公開了一種復合抗氧化涂層,包括依次形成于石墨基體表面的碳化硅晶須層、硅層和MoSi2層。
優選的,在上述的復合抗氧化涂層中,復合抗氧化涂層的厚度為250~280μm。
相應的,本申請還公開了一種在石墨基體表面制備復合抗氧化涂層的方法,包括以下步驟:
(1)、石墨基體表面打磨、超聲清洗并烘干;
(2)、將氯鉑酸粉末溶解在無水乙醇中,制備催化劑溶液;
(3)、將聚碳硅烷溶液和催化劑溶液混合攪拌,獲得混合溶液,調節混合溶液的pH值至8~9;
(4)、將石墨基體浸漬在混合溶液中,然后進行交聯反應;
(5)、將交聯產物置于高溫管式爐中進行燒結,反應時間3小時,燒結過程是在氬氣氣氛下進行,氣流量為180~200ml/min,形成碳化硅晶須層;
(6)、將燒結后的樣品包埋在硅粉、石墨粉和MoSi2的混合粉末中,在高溫管式爐中進行熱處理,形成硅層和MoSi2層。
優選的,在上述的在石墨基體表面制備復合抗氧化涂層的方法中,步驟(2)中,催化劑溶液的濃度為1.5%。
優選的,在上述的在石墨基體表面制備復合抗氧化涂層的方法中,步驟(3)中,加入稀氨水調節混合溶液的pH值至8~9。
優選的,在上述的在石墨基體表面制備復合抗氧化涂層的方法中,步驟(4)中,浸漬壓力為0.5MPa,浸漬時間為40分鐘。
優選的,在上述的在石墨基體表面制備復合抗氧化涂層的方法中,步驟(4)中,在100℃下進行交聯反應4小時。
優選的,在上述的在石墨基體表面制備復合抗氧化涂層的方法中,步驟(5)中,燒結條件滿足:升溫速率2℃/min,反應溫度1800℃,反應時間3小時。
優選的,在上述的在石墨基體表面制備復合抗氧化涂層的方法中,步驟(6)中,混合粉末中,硅粉、石墨粉和MoSi2粉的質量比為(5~7):(2~3):1。
優選的,在上述的在石墨基體表面制備復合抗氧化涂層的方法中,步驟(6)中,熱處理滿足條件:升溫速率4℃/min,反應溫度2000℃,反應時間4小時。
與現有技術相比,本發明的優點在于:本發明制備工藝簡單,成本低,涂層表面致密,氧化過程中涂層表現出一定的自愈合能力。
具體實施方式
本發明通過下列實施例作進一步說明:根據下述實施例,可以更好地理解本發明。然而,本領域的技術人員容易理解,實施例所描述的具體的物料比、工藝條件及其結果僅用于說明本發明,而不應當也不會限制權利要求書中所詳細描述的本發明。
復合抗氧化涂層包括依次形成于石墨基體表面的碳化硅晶須層、硅層和MoSi2層。
復合抗氧化涂層的厚度為250μm。
在石墨基體表面制備復合抗氧化涂層的方法包括以下步驟:
(1)、石墨基體表面打磨、超聲清洗并烘干;
(2)、將氯鉑酸粉末溶解在無水乙醇中,制備催化劑溶液,該催化劑溶液的濃度為1.5%;
(3)、將聚碳硅烷溶液和催化劑溶液混合攪拌,獲得混合溶液,加入稀氨水調節混合溶液的pH值至8~9;
(4)、將石墨基體浸漬在混合溶液中,浸漬壓力為0.5MPa,浸漬時間為40分鐘,然后在100℃下進行交聯反應4小時;
(5)、將交聯產物置于高溫管式爐中進行燒結,升溫速率2℃/min,反應溫度1800℃,反應時間3小時,燒結過程是在氬氣氣氛下進行,氣流量為180ml/min,形成碳化硅晶須層;
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