[發(fā)明專利]用于單晶硅制絨后不良片處理的制絨劑及其制作方法和單晶硅制絨后不良片的處理方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610446469.7 | 申請日： | 2016-06-20 |
| 公開（公告）號： | CN107523880A | 公開（公告）日： | 2017-12-29 |
| 發(fā)明（設計）人： | 程寒松;李然;閆緩 | 申請（專利權）人： | 杭州聚力氫能科技有限公司 |
| 主分類號： | C30B33/10 | 分類號： | C30B33/10 |
| 代理公司： | 浙江杭知橋律師事務所33256 | 代理人： | 王梨華,陳麗霞 |
| 地址： | 311305 浙江省*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 單晶硅 制絨后 不良 處理 制絨劑 及其 制作方法 方法 | ||
1.用于單晶硅制絨后不良片處理的制絨劑，其特征在于：包括氫氧化鈉或氫氧化鉀和制絨添加劑，氫氧化鈉或氫氧化鉀的質量百分含量為0.5％～5％，制絨添加劑包括體積百分含量為0.1％～8％的低揮發(fā)性有機化合物、體積百分含量為92％～99.9％的去離子水。
2.根據權利要求1所述的用于單晶硅制絨后不良片處理的制絨劑，其特征在于：低揮發(fā)性有機化合物為含有3～7個碳的低級脂肪胺、含有3～8個碳的多元醇、含有3～14個碳的羧酸、含有4～8個碳的醚類中的一種或多種。
3.根據權利要求2所述的用于單晶硅制絨后不良片處理的制絨劑，其特征在于：含有3～7個碳的低級脂肪胺為三乙胺、乙醇胺、四甲基乙二胺、戊胺、三丙胺中的一種或幾種。
4.根據權利要求2所述的用于單晶硅制絨后不良片處理的制絨劑，其特征在于：含有3～8個碳的多元醇為乙二醇、丙三醇、山梨醇、一縮二乙二醇、一縮乙二醇、季戊二醇、異辛醇中的一種或幾種。
5.根據權利要求2所述的用于單晶硅制絨后不良片處理的制絨劑，其特征在于：含有3～14個碳的羧酸為3-甲基丙酸、β-氨基丙酸、檸檬酸、4-氨基丁酸、乙二胺四乙酸、乙二酸中的一種或幾種。
6.根據權利要求2所述的用于單晶硅制絨后不良片處理的制絨劑，其特征在于：含有4～8個碳的醚類為丙二醇甲醚、乙二醇乙醚、二乙二醇乙醚中的一種或幾種。
7.制作權利要求1或2或3或4或5或6所述的用于單晶硅制絨后不良片處理的制絨劑的方法，其特征在于：配制低揮發(fā)性有機化合物；用去離子水配制氫氧化鈉水溶液或氫氧化鉀水溶液，將氫氧化鈉水溶液或氫氧化鉀水溶液加熱至65～80℃，加入低揮發(fā)性有機化合物，混合均勻，得到制絨液。
8.單晶硅制絨后不良片的處理方法，其特征在于：包括以下步驟：將單晶硅制絨后不良片分別置于乙醇、丙酮和異丙醇中超聲清洗；將清洗后的單晶硅制絨后不良片置于權利要求7制得的用于單晶硅制絨后不良片處理的制絨劑中進行制絨。
9.權利要求8所述的單晶硅制絨后不良片的處理方法，其特征在于：制絨時，溫度控制在70～85℃，反應時間為5～10min。
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