[發(fā)明專利]一種超低衰減大有效面積單模光纖有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610420817.3 | 申請日： | 2016-06-14 |
| 公開（公告）號： | CN105866879B | 公開（公告）日： | 2017-12-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張磊;朱繼紅;吳俊;李鵬;汪洪海;王瑞春 | 申請（專利權(quán)）人： | 長飛光纖光纜股份有限公司 |
| 主分類號： | G02B6/02 | 分類號： | G02B6/02;G02B6/036 |
| 代理公司： | 湖北武漢永嘉專利代理有限公司42102 | 代理人： | 胡建平 |
| 地址： | 430073 湖北省*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 衰減 有效面積 單模 光纖 | ||
1.一種超低衰減大有效面積單模光纖，包括有芯層和包繞芯層的包層，其特征在于所述的芯層半徑r1為5～6.5μm，相對折射率Δn1為0.02～0.14％，所述的芯層為摻氯的二氧化硅玻璃層，芯層中氯的含量為0.4-2wt％，所述的包層為由內(nèi)向外依次包繞芯層的內(nèi)包層、下陷內(nèi)包層、輔助外包層和外包層，所述的內(nèi)包層半徑r2為9～14μm，相對折射率Δn2小于或等于-0.18％，所述的下陷內(nèi)包層半徑r3為12～20μm，相對折射率Δn3小于或等于-0.40％，所述的輔助外包包層半徑r4為35～50μm，相對折射率Δn4小于或等于-0.18％，所述的外包層為純二氧化硅玻璃外包層；所述光纖在1550nm波長處的衰減系數(shù)小于或等于0.161dB/km。
2.按權(quán)利要求1所述的超低衰減大有效面積單模光纖，其特征在于所述的內(nèi)包層相對折射率Δn2為-0.18～-0.40％。
3.按權(quán)利要求1或2所述的超低衰減大有效面積單模光纖，其特征在于所述的下陷內(nèi)包層為摻氟的二氧化硅玻璃層，相對折射率Δn3為-0.40～-0.61％。
4.按權(quán)利要求1或2所述的超低衰減大有效面積單模光纖，其特征在于所述的輔助外包層為摻氟的二氧化硅玻璃層，相對折射率Δn4為-0.18～-0.47％。
5.按權(quán)利要求1或2所述的超低衰減大有效面積單模光纖，其特征在于所述光纖在1550nm波長處的有效面積為100～145μm2。
6.按權(quán)利要求1或2所述的超低衰減大有效面積單模光纖，其特征在于所述光纖在1550nm波長處的衰減系數(shù)小于或等于0.160dB/km。
7.按權(quán)利要求1或2所述的超低衰減大有效面積單模光纖，其特征在于所述光纖的成纜截止波長等于或小于1530nm。
8.按權(quán)利要求1或2所述的超低衰減大有效面積單模光纖，其特征在于所述光纖的零色散點(diǎn)小于等于1300nm。
9.按權(quán)利要求8所述的超低衰減大有效面積單模光纖，其特征在于所述光纖在波長1550nm處的色散等于或小于23ps/nm*km，所述光纖在波長1625nm處的色散等于或小于27ps/nm*km。
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