[發明專利]發射輻射的半導體器件及其制造方法有效
| 申請號: | 201610415644.6 | 申請日: | 2011-03-02 |
| 公開(公告)號: | CN106025051B | 公開(公告)日: | 2019-06-14 |
| 發明(設計)人: | M.維特曼恩 | 申請(專利權)人: | 奧斯蘭姆奧普托半導體有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L33/56 | 分類號: | H01L33/56 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 劉春元 |
| 地址: | 德國雷*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發射 輻射 半導體器件 及其 制造 方法 | ||
【說明書】:
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