[發明專利]芯片的拆解方法有效
| 申請號: | 201610415094.8 | 申請日: | 2016-06-14 |
| 公開(公告)號: | CN107507758B | 公開(公告)日: | 2019-12-13 |
| 發明(設計)人: | 吳波;張文燕 | 申請(專利權)人: | 上海新微技術研發中心有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02 |
| 代理公司: | 31294 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人: | 孫佳胤 |
| 地址: | 201800 上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 芯片 拆解 方法 | ||
一種芯片的拆解方法,包括:提供一芯片,包括基底、位于基底上的元件、封裝殼體,所述封裝殼體與基底之間構成空腔、所述元件位于空腔內;對所述空腔側壁進行研磨,至暴露出空腔一角停止;向所述空腔內填充支撐材料,形成支撐層。上述拆解方法能夠避免芯片內部的元件在拆解過程中發生坍塌問題。
技術領域
本發明涉及微機電系統技術領域,尤其涉及一種芯片的拆解方法。
背景技術
在微機電系統芯片的制造工藝中,反向拆解工藝是了解微機電系統芯片內部構造最有效的途徑,進而作為微機電系統芯片研究與改良的重要方法。
在傳統的方法中,通常將微機電芯片直接進行切割,通過對切割后的側面進行觀察,從而可以獲取芯片內部的元件結構等信息。
然而,在很多微機電系統芯片中,例如陀螺儀傳感器芯片、壓力傳感器芯片、加速度計傳感器芯片等,傳感元件均位于空腔內,部分元件處于懸空狀態。隨著芯片集成度的不斷提高,線寬不斷縮小,所述傳感元件的尺寸都很小,在對所述微機電系統芯片進行切割的過程中,由于空腔內的傳感元件受到的支撐較少,容易發生坍塌等問題,導致芯片內部發生損壞,導致拆解失敗,無法獲得芯片內部的完整正確的結構示意圖。
所以,現有芯片的拆解方法的拆解效果有待進一步的提高。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是,提供一種芯片的拆解方法,避免拆解過程中,芯片內部元件發生坍塌。
為了解決上述問題,本發明提供了一種芯片的拆解方法,包括:提供一芯片,包括基底、位于基底上的元件、封裝殼體,所述封裝殼體與基底之間構成空腔、所述元件位于空腔內;對所述空腔側壁進行研磨,至暴露出空腔一角停止;向所述空腔內填充支撐材料,形成支撐層。
可選的,所述支撐層具有導電性。
可選的,所述支撐層的形成方法包括:向所述空腔內填充膠體,所述膠體具有流動性;所述膠體填充滿空腔之后,對所述膠體進行固化處理,形成支撐層。
可選的,所述膠體具有導電性。
可選的,所述膠體具有熱固性。
可選的,所述固化處理的溫度為20℃~30℃,固化處理時間為8小時~12小時。
可選的,所述膠體材料包括環氧樹脂、丙烯酸酯樹脂、聚氯酯、有機硅樹脂、聚酰亞胺樹脂、酚醛樹脂和聚氨酯中的至少一種。
可選的,所述膠體材料中還包括導電物質。
可選的,所述導電物質為鐵、金、銀、銅、鋁、鋅、鐵、鎳或石墨中的至少一種。
可選的,向所述空腔內填充支撐層的同時,對所述空腔進行抽真空。
可選的,所述抽真空的步驟實施一分鐘后,空腔內的氣壓從標準大氣壓降低至559Torr以下。
可選的,所述抽真空的步驟中始終保持空腔內的真空度低于559Torr。
可選的,對所述空腔不同位置的側壁進行研磨,暴露出空腔的至少兩個角。
可選的,所述分立的元件為懸臂梁、薄膜或質量塊。
本發明的技術方案在芯片的拆解過程中,通過對芯片進行研磨,暴露出空腔,然后在空腔內填充支撐材料,形成支撐層;通過支撐層,對芯片內部的元件進行支撐,然后進行切割,可以避免元件在切割過程中發生坍塌,從而實現對芯片的拆解。
附圖說明
圖1為本發明一具體實施方式的芯片的拆解方法的流程示意圖;
圖2為本發明一具體實施方式的芯片的剖面示意圖;
圖3為本發明一具體實施方式的芯片的俯視示意圖;
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





