[發明專利]非晶硅薄膜成膜方法在審
| 申請號： | 202011202115.0 | 申請日： | 2020-11-02 |
| 公開（公告）號： | CN112331556A | 公開（公告）日： | 2021-02-05 |
| 發明（設計）人： | 王劍敏;葛哲瑋 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;C23C16/24;C23C16/40;C23C16/50 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 非晶硅 薄膜 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種非晶硅薄膜成膜方法，其特征在于：在非晶硅薄膜成膜之前，先淀積一層采用低淀積速率形成的氧化硅膜，然后再淀積形成非晶硅薄膜。
2.如權利要求1所述的非晶硅薄膜成膜方法，其特征在于：所述氧化硅膜層采用基于硅烷材料形成氧化硅的工藝。
3.如權利要求1所述的非晶硅薄膜成膜方法，其特征在于：所述低淀積速率形成的氧化硅膜,在工藝腔內，其淀積溫度為350～450℃，淀積壓力為2～4Torr，高頻功率為100～500W，硅烷流量為10～150sccm，N2O的流量為3000～5000sccm。
4.如權利要求3所述的非晶硅薄膜成膜方法，其特征在于：所述采用低淀積速率形成的氧化硅膜，其淀積速率為
5.如權利要求2所述的非晶硅薄膜成膜方法，其特征在于：所述的氧化膜采用等離子增強淀積工藝淀積而成。
6.如權利要求1所述的非晶硅薄膜成膜方法，其特征在于：所述的非晶硅薄膜為低溫非晶硅薄膜，其淀積溫度為350～450℃。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
