[發明專利]一種超高頻RFID讀寫器射頻電路在審
| 申請號: | 201610413314.3 | 申請日: | 2016-06-13 |
| 公開(公告)號: | CN107491707A | 公開(公告)日: | 2017-12-19 |
| 發明(設計)人: | 陳玉梅 | 申請(專利權)人: | 陳玉梅 |
| 主分類號: | G06K7/10 | 分類號: | G06K7/10 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 110179 遼寧省沈陽市渾南新*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 超高頻 rfid 讀寫 射頻 電路 | ||
所屬技術領域
本發明涉及一種超高頻RFID讀寫器射頻電路,適用于射頻領域。
背景技術
RFID是射頻識別技術(Radio Frequency Identification)的縮寫,它是20世紀oo年代開始興起的一種自動識別技術,RFID技術是一項利用射頻信號通過空間耦合(交變磁場或電磁場)實現無接觸信息傳遞并通過所傳遞的信息達到識別目的的技術。
與目前廣泛使用的自動識別技術例如攝像、條碼、磁卡、IC卡等相比,射頻識別技術具有很多突出優點:(1)非接觸操作,長距離識別(幾厘米至幾十米),故完成識別工作時無須人工干預;(2)無機械磨損,壽命長,良好的耐環境性;(3)可識別高速運動物體并可同時識別多個電子標簽;(4)讀寫器具有不直接對最終用戶開放的物理接口,保證其自身的安全性;(5)數據安全方面除電子標簽的密碼保護外,數據部分可用一些算法實現安全管理;(6)讀寫器與標簽之間存在相互認證的過程,實現安全通信和存儲。
目前,長距離射頻識別系統的價格還很貴,因此尋找提高其讀寫距離的方法很重要。影響射頻卡讀寫距離的因素包括天線工作頻率、讀寫器的輸出功率、讀寫器的接收靈敏度、射頻卡的功耗、天線及諧振電路的Q值、天線方向、讀寫器和射頻卡的耦合度,以及射頻卡本身獲得的能量及發送信息的能量等。大多數系統的讀取距離和寫入距離是不同的,寫入距離大約是讀取距離的40%~80% 。
發明內容
本發明提供一種超高頻RFID讀寫器射頻電路,電路結構緊湊,占用面積小,可以長距離進行識別,且工作穩定,適應性好,提高了工作效率,降低了電路功耗低,具有良好的抗干擾性和可靠性。
本發明所采用的技術方案是:
超高頻RFID讀寫器射頻電路由讀寫器發送模塊電路及讀寫器接收模塊電路組成。其中,發送模塊包括可控衰減功率放大器、功率放大器;讀寫器接收模塊包括低噪聲放大器、混頻器電路。
所述可控衰減功率放大器選用 RF2878作為可控衰減功率放大器的核心芯片,其輸入輸出端口增加了阻抗匹配電路,使射頻信號輸入和輸出端口特征阻抗為50歐姆。RF2878芯片VPD管腳接基帶輸入信號(由DSP/ARM經編碼后的信息序列)。加入了一些必不可少的旁路電容。
所述功率放大器外圍電路中,RF2132管腳10, 11輸出放大后射頻信號,輸出電路需經過阻抗電路進行阻抗匹配。在電路調試中,應根據實際要求調節匹配電路器件值,使功放輸出端VSWR最小(輸出阻抗接近50歐姆)。因功率放大器輸出功率高,故其對直流電源產生大量高頻干擾。故RF2132電源端口接去耦電感和旁路電容,其目的就是去除直流信號中的高頻信號,從而提高芯片的工作性能。
所述低噪聲放大器選擇MAXIM公司的MAX2640,MAX2640是廉價且超低噪聲的小信號功率放大器,主要應用于蜂窩移動通信、PCS, GPS和2.4G ISM頻帶。射頻輸入端和輸出端接有阻抗匹配網絡,調試匹配網絡以致得到希望的增益、噪聲系數和回波損耗。為減小芯片外圍器件個數,電路中電感可用微帶線代替。
所述混頻器電路的接收體系采用雙通道零中頻結構,混頻器采用下混頻,混頻器本振端口和射頻端口頻率要求在902MHz~928MHz,由于是零中頻接收,故要求中頻口輸出信號頻率最小到直流信號;由于零中頻體系中存在直流偏移噪聲,混頻器各端口隔離度應足夠大,盡量減小混頻器自泄露信號;混頻器應具有高的變頻壓縮點和三階互調點。MC13143D是單端RF輸入、差分IF輸出和差分LO輸入的高壓縮線性混頻器,其功率只有1.8m W且RF端輸入阻抗為50歐姆。MC13143D混頻器輸出端口為差分IF輸出。為把差分雙終端轉換成單終端,選用Mini-Circuits公司的T16-6T阻抗變換器。T16-6T的頻率范圍為0.03~75MHz,低插入損耗。既能夠實現輸出端口阻抗匹配,又能夠消除零中頻接收體系產生的直流偏差。混頻器各端口都進行了有效的阻抗匹配。
本發明的有益效果是:電路結構緊湊,占用面積小,可以長距離進行識別,且工作穩定,適應性好,提高了工作效率,降低了電路功耗低,具有良好的抗干擾性和可靠性。
附圖說明
下面結合附圖和實施例對本發明進一步說明。
圖1是本發明的可控衰減功率放大器。
圖2是本發明的功率放大器。
圖3是本發明的低噪聲放大器。
圖4是本發明的混頻器電路。
具體實施方式
下面結合附圖和實施例對本發明作進一步說明。
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