[發明專利]一種寬帶溫度不敏感的光波導器件有效
| 申請號： | 201610412018.1 | 申請日： | 2016-06-12 |
| 公開（公告）號： | CN107490821B | 公開（公告）日： | 2020-03-20 |
| 發明（設計）人： | 張林;何柳青;徐麗娟 | 申請（專利權）人： | 天津大學 |
| 主分類號： | G02B6/12 | 分類號： | G02B6/12;G02F1/01 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限責任專利代理事務所 12201 | 代理人： | 李麗萍 |
| 地址： | 300072*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 寬帶 溫度 敏感 波導 器件 | ||
【權利要求書】：
1.一種寬帶溫度不敏感的光波導器件，包括相互層疊的芯區和包層，所述芯區采用硅，所述包層采用二氧化鈦；所述包層的另一面設有覆蓋層，所述覆蓋層采用正熱光系數的材料，整個光波導的熱光系數表達式為：
式（1）的等式右邊：
第一項的系數 為芯區材料的光強限制因子， 為硅的熱光系數；
第二項的系數 為包層材料的光強限制因子， 為二氧化鈦的熱光系數；
第三項的系數為覆蓋層材料的光強限制因子，為覆蓋層材料的熱光系數；
光波導中芯區材料、包層材料和覆蓋層材料的光強限制因子是指：在光波導橫截面上芯區、包層和覆蓋層每一個區域中電場強度平方的面積積分占總電場平方的比率：
（2）
式（2）中，E是電場強度，A是所指區域；
其特征在于：
針對覆蓋層是氮化硅材料、且氮化硅高度為500nm，光波導的寬度為500 nm，芯區和包層的高度有以下情形之一：
芯區的高度為140nm，包層的高度為136nm；
芯區的高度為150nm，包層的高度為160nm；
芯區的高度為160nm，包層的高度為190nm。
2.根據權利要求1所述寬帶溫度不敏感的光波導器件，其特征在于，所述硅的熱光系數為，二氧化鈦的熱光系數為，氮化硅的熱光系數為。
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