[發(fā)明專利]晶體管的形成方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201610407520.3
• 申請日: 2016-06-12
• 公開（公告）號: CN107492497A
• 公開（公告）日: 2017-12-19
• 發(fā)明（設計）人: 陳德艷;馬燕春;鄭大燮
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 高靜,吳敏

1.一種晶體管的形成方法，其特征在于，包括：

形成基底；

在所述基底上形成柵極材料層；

對所述柵極材料層進行第一刻蝕，去除部分所述柵極材料層，露出部分所述基底；

對露出的所述基底進行第一離子注入，在所述基底內形成具有第一摻雜離子的體區(qū)，所述體區(qū)延伸至剩余的所述柵極材料層下方；

對剩余的所述柵極材料層進行第二刻蝕，去除遠離所述體區(qū)的一側的部分所述柵極材料層，形成柵極。

2.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，進行第一刻蝕的步驟包括：

在所述柵極材料層上形成第一掩膜，所述第一掩膜具有露出所述柵極材料層表面的第一開口；

以所述第一掩膜為掩膜，進行第一刻蝕，露出部分所述基底；

在進行第一離子注入之后，在進行第二刻蝕之前，所述形成方法還包括：去除所述第一掩膜。

3.如權利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜的材料包括光刻膠。

4.如權利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述第一離子注入的步驟包括：以所述第一掩膜為掩膜，進行第一離子注入。

5.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成的晶體管為N型晶體管，所述第一摻雜離子為P型離子。

6.如權利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述P型摻雜離子包括：硼離子、銦離子或鎵離子中的一種或多種。

7.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一離子注入的步驟包括：采用側向離子注入的方式進行所述第一離子注入。

8.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，采用側向離子注入的方式進 行所述第一離子注入的步驟中，所述第一離子注入的傾斜角度在30°到45°范圍內，所述傾斜角度為注入方向與所述基底表面法線之間的夾角。

9.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，進行第一離子注入的步驟中，所述體區(qū)和剩余的所述柵極材料層重疊區(qū)域的尺寸小于0.1微米。

10.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，進行第二刻蝕的步驟包括：

形成覆蓋所述體區(qū)和部分柵極材料層表面的第二掩膜，所述第二掩膜具有露出所述柵極材料層表面的第二開口；

以所述第二掩膜為掩膜，進行第二刻蝕，去除部分柵極材料層，形成柵極。

11.如權利要求10所述的形成方法，其特征在于，所述第二掩膜的材料包括光刻膠。

12.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，采用干法刻蝕的方式進行第一刻蝕或第二刻蝕，或者采用干法刻蝕的方式進行第一刻蝕和第二刻蝕。

13.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，在形成基底之后，在形成柵極材料層之前，還包括：在所述基底上形成柵氧材料層；

形成柵極材料層的步驟包括：在所述柵氧材料層上形成所述柵極材料層；

進行第一刻蝕的步驟還包括：對所述柵氧材料層進行第一刻蝕，去除部分柵氧材料層，露出所述基底；

進行第二刻蝕的步驟還包括：對剩余的所述柵氧材料層進行第二刻蝕，去除遠離所述體區(qū)的一側的部分所述柵氧材料層，形成柵氧層，所述柵氧層與所述柵極構成柵極結構。

14.如權利要求13所述的形成方法，其特征在于，形成所述柵氧材料層的步驟包括：通過熱氧化的方式形成所述柵氧材料層。