[發(fā)明專(zhuān)利]多層復(fù)合膜、其制備方法以及作為碳化硅及其復(fù)合材料連接材料的應(yīng)用

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610406767.3
• 申請(qǐng)日: 2016-06-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107488043B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-10-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃慶;周小兵;楊輝;李友兵;黃峰;都時(shí)禹
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所
• 主分類(lèi)號(hào): C04B37/00
• 分類(lèi)號(hào): C04B37/00
• 代理公司: 寧波元為知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 33291
• 代理人: 單英

1.一種多層復(fù)合膜，其特征是：所述多層復(fù)合膜呈左右層疊結(jié)構(gòu)，依次為第一復(fù)合疊層、鈦硅碳層以及第二復(fù)合疊層；

所述第一復(fù)合疊層呈左右層疊結(jié)構(gòu)，包括至少兩層鈦層，并且相鄰的鈦層之間為碳層；

所述第二復(fù)合疊層呈左右層疊結(jié)構(gòu)，包括至少兩層鈦層，并且相鄰的鈦層之間為碳層；

所述的鈦硅碳層是鈦硅碳材料，或者是以鈦硅碳為基體的復(fù)合材料，包括碳化硅顆粒復(fù)合鈦硅碳層、碳化硅晶須復(fù)合鈦硅碳層、碳化硅纖維復(fù)合鈦硅碳層、碳纖維復(fù)合鈦硅碳層以及碳化鈦復(fù)合鈦硅碳層中的一種或者兩種以上的混合。

2.如權(quán)利要求1所述的多層復(fù)合膜，其特征是：所述的第一復(fù)合疊層中，沿著層疊方向，單層納米鈦層的厚度為10nm~1000nm，單層納米碳層的厚度為10nm~1000nm。

3.如權(quán)利要求1所述的多層復(fù)合膜，其特征是：所述的第二復(fù)合疊層中，沿著層疊方向，單層納米鈦層的厚度為10nm~1000nm，單層納米碳層的厚度為10nm~1000nm。

4.如權(quán)利要求1所述的多層復(fù)合膜，其特征是：沿著層疊方向，所述的鈦硅碳層的厚度為500nm~500μm。

5.如權(quán)利要求1至4中任一權(quán)利要求所述的多層復(fù)合膜的制備方法，其特征是：包括如下步驟：

在第一基體表面依次交替制備鈦層與碳層，然后再制備一層鈦層，最后去除第一基體，得到第一復(fù)合疊層；在第二基體表面依次交替制備鈦層與碳層，然后再制備一層鈦層，最后去除第二基體，得到第二復(fù)合疊層；沿著層疊方向，將鈦硅碳層夾置于第一復(fù)合疊層與第二復(fù)合疊層之間；

或者，在第一基體表面依次交替制備鈦層與碳層，然后再制備一層鈦層，最后去除第一基體，得到第一復(fù)合疊層；在第一復(fù)合疊層表面制備鈦硅碳層；在鈦硅碳層表面依次交替制備鈦層與碳層，然后再制備一層鈦層，得到第二復(fù)合疊層。

6.如權(quán)利要求5所述的多層復(fù)合膜的制備方法，其特征是：所述鈦層、碳層、鈦硅碳層的制備方法包括PVD法、CVD法、噴涂法、電鍍法以及流延法。

7.如權(quán)利要求5所述的多層復(fù)合膜的制備方法，其特征是：所述第一基體是氯化鈉，利用在水中溶解的方法去除第一基體。

8.如權(quán)利要求5所述的多層復(fù)合膜的制備方法，其特征是：所述第二基體是氯化鈉，利用在水中溶解的方法去除第二基體。

9.如權(quán)利要求5所述的多層復(fù)合膜的制備方法，其特征是：鈦硅碳層的制備方法包括流延法、PVD法或者CVD法。

10.如權(quán)利要求6所述的多層復(fù)合膜的制備方法，其特征是：所述第一基體是氯化鈉，利用在水中溶解的方法去除第一基體。

11.如權(quán)利要求6所述的多層復(fù)合膜的制備方法，其特征是：所述第二基體是氯化鈉，利用在水中溶解的方法去除第二基體。

12.如權(quán)利要求6所述的多層復(fù)合膜的制備方法，其特征是：鈦硅碳層的制備方法包括流延法、PVD法或者CVD法。

13.如權(quán)利要求1至4中任一權(quán)利要求所述的多層復(fù)合膜作為碳化硅及其復(fù)合材料的連接材料。