[發(fā)明專(zhuān)利]一種半導(dǎo)體器件及其制造方法、電子裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610402943.6
• 申請(qǐng)日: 2016-06-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107481929B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-08-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳健;張煥云
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/331
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/331;H01L29/739
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底中形成有P型摻雜體區(qū)和溝槽狀柵極，所述溝槽狀柵極包括自下而上層疊的柵極介電層和柵極材料層；

在所述半導(dǎo)體襯底上形成圖案化的掩膜層，僅露出位于所述溝槽狀柵極之間且鄰接所述溝槽狀柵極的半導(dǎo)體襯底部分；

以所述掩膜層為掩膜，去除部分未被所述掩膜層遮蔽的位于所述溝槽狀柵極之間且鄰接所述溝槽狀柵極的半導(dǎo)體襯底，同時(shí)在所述半導(dǎo)體襯底上形成一凸起部分；

去除所述掩膜層后，在所述半導(dǎo)體襯底上形成犧牲層；

在所述凸起部分與所述溝槽狀柵極之間的半導(dǎo)體襯底中形成N+型摻雜區(qū)；

在所述N+型摻雜區(qū)之間的半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成第一P+型摻雜區(qū)；

去除所述犧牲層，在所述半導(dǎo)體襯底上形成層間介質(zhì)層，并在所述層間介質(zhì)層中形成底部電連接所述N+型摻雜區(qū)和所述第一P+型摻雜區(qū)的接觸塞。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述溝槽狀柵極的深度大于所述P型摻雜體區(qū)的深度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件為絕緣柵雙極型晶體管，所述溝槽狀柵極在平面上為環(huán)形結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜層為單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)，具有單層結(jié)構(gòu)的所述掩膜層為圖案化的光刻膠層，具有多層結(jié)構(gòu)的所述掩膜層包括自下而上層疊的圖案化的無(wú)定形碳層、抗反射涂層和光刻膠層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，去除部分未被所述掩膜層遮蔽的位于所述溝槽狀柵極之間且鄰接所述溝槽狀柵極的半導(dǎo)體襯底的厚度為0.1微米-0.2微米。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述N+型摻雜區(qū)和所述第一P+型摻雜區(qū)的深度相同，均小于所述P型摻雜體區(qū)的深度。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述N+型摻雜區(qū)中的摻雜雜質(zhì)包括磷、氮、砷、銻或鉍，所述第一P+型摻雜區(qū)中的摻雜雜質(zhì)包括硼、鋁、鎵、銦或鉈。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述接觸塞后，還包括：在所述半導(dǎo)體襯底的下部形成第二P+型摻雜區(qū)，以及在所述半導(dǎo)體襯底的下部表面上形成覆蓋所述第二P+型摻雜區(qū)的金屬層。

9.一種采用權(quán)利要求1-8之一所述的方法制造的半導(dǎo)體器件。

10.一種電子裝置，其特征在于，所述電子裝置包括權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件。