[發(fā)明專利]一種外部雙電壓輸入選擇開關(guān)電路及電子裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610402929.6 | 申請(qǐng)日： | 2016-06-08 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN107481759B | 公開（公告）日： | 2020-06-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 權(quán)彞振;倪昊;許家銘;劉曉艷 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 主分類號(hào)： | G11C16/30 | 分類號(hào)： | G11C16/30 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務(wù)所 11336 | 代理人： | 董巍;高偉 |
| 地址： | 201203 *** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 外部 電壓 輸入 選擇 開關(guān)電路 電子 裝置 | ||
1.一種外部雙電壓輸入選擇開關(guān)電路，其特征在于，包括參考電壓控制單元、電壓抬升單元以及一第一NMOS晶體管，其中：
所述參考電壓控制單元配置為基于一參考電壓輸出控制電壓信號(hào)給所述電壓抬升單元；
所述電壓抬升單元連接至所述第一NMOS晶體管的柵極，配置為基于所述控制電壓信號(hào)輸出一柵極電壓給所述柵極，所述電壓抬升單元包括一二極管串和一第二NMOS晶體管，所述二極管串的第一端連接所述第二NMOS晶體管的源極；
所述第一NMOS晶體管的源極連接至所述選擇開關(guān)電路的輸出端，所述第一NMOS晶體管的漏極連接至負(fù)電荷泵偏置電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的選擇開關(guān)電路，其特征在于，所述控制電壓信號(hào)連接所述第二NMOS晶體管的柵極，所述第二NMOS晶體管的漏極連接至所述負(fù)電荷泵偏置電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的選擇開關(guān)電路，其特征在于，所述電壓抬升單元的第一輸入端連接至用于控制所述二極管串開關(guān)的控制信號(hào)，所述第二NMOS晶體管的源極連接至所述電壓抬升單元的輸出端，所述輸出端連接至所述第一NMOS晶體管的柵極。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的選擇開關(guān)電路，其特征在于，所述二極管串由多個(gè)PMOS晶體管串聯(lián)而成，在所述二極管串中，所述PMOS晶體管的源極與其鄰接的PMOS晶體管的漏極相接，每個(gè)所述PMOS晶體管的源極與柵極相接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的選擇開關(guān)電路，其特征在于，所述電壓抬升單元還包括用于控制所述二極管串開關(guān)的第三PMOS晶體管，用于控制所述二極管串開關(guān)的控制信號(hào)連接至所述第三PMOS晶體管的柵極，所述第三PMOS晶體管的漏極連接至高電源電壓Vdd，所述第三PMOS晶體管的源極連接至所述二極管串的第二端。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的選擇開關(guān)電路，其特征在于，所述參考電壓控制單元的第一輸入端連接至低電源電壓VSS，所述參考電壓控制單元的第二輸入端連接至參考電壓VREF，所述參考電壓控制單元的輸出端連接至所述第二NMOS晶體管的柵極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的選擇開關(guān)電路，其特征在于，所述參考電壓控制單元的第一輸入端連接至第三NMOS晶體管的漏極，所述參考電壓控制單元的第二輸入端連接至所述第三NMOS晶體管的柵極，所述第三NMOS晶體管的源極連接至第一PMOS晶體管的源極，所述第一PMOS晶體管的源極和柵極連接在一起并連接至第二PMOS晶體管的柵極，所述第一PMOS晶體管的漏極和所述第二PMOS晶體管的漏極連接在一起并連接至高電源電壓Vdd，所述第二PMOS晶體管的源極連接至另一二極管串的第一端，所述另一二極管串的第二端連接至所述參考電壓控制單元的輸出端。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的選擇開關(guān)電路，其特征在于，所述第一NMOS晶體管的柵極電壓為所述負(fù)電荷泵偏置電壓與所述二極管串中PMOS晶體管的數(shù)目和每個(gè)所述PMOS晶體管的閾值電壓的乘積之間的加和。
9.一種電子裝置，其特征在于，所述電子裝置包括權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的外部雙電壓輸入選擇開關(guān)電路。
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