[發明專利]一種多路選擇電路、靜態隨機存取存儲器以及電子裝置在審
| 申請號： | 201610398974.9 | 申請日： | 2016-06-07 |
| 公開（公告）號： | CN107481754A | 公開（公告）日： | 2017-12-15 |
| 發明（設計）人： | 孟煥;姜敏;李智;劉曉慶 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 主分類號： | G11C11/419 | 分類號： | G11C11/419 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務所11336 | 代理人： | 董巍,高偉 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 選擇 電路 靜態 隨機存取存儲器 以及 電子 裝置 | ||
1.一種用于靜態隨機存取存儲器的多路選擇電路，其特征在于，包括：
與所述多路選擇電路相連接的第一位線和第二位線，其中所述第一位線和所述第二位線之間設置有至少一個存儲單元；
以及一個位線電壓保持電路，其設置為與所述第一位線和所述第二位線相連，在所述存儲單元處于寫模式的情況下，配置為保持所述第一位線或第二位線為高電源電壓VDD。
2.根據權利要求1所述的多路選擇電路，其特征在于，在所述存儲單元處于寫模式的情況下，所述位線電壓保持電路基于所述第一位線和所述第二位線之間的電壓差，輸出電壓調節信號給第一位線或第二位線。
3.根據權利要求1所述的多路選擇電路，其特征在于，所述位線電壓保持電路包括第一PMOS晶體管和第二PMOS晶體管。
4.根據權利要求3所述的選擇電路，其特征在于，所述第一PMOS晶體管和第二PMOS晶體管相同。
5.根據權利要求4所述的多路選擇電路，其特征在于，所述第一PMOS晶體管和所述第二PMOS晶體管的源極共同連接到電源電壓VDD，所述第一PMOS晶體管的柵極連接到所述第二位線和所述第二PMOS晶體管的漏極，所述第二PMOS晶體管的柵極連接到所述第一位線和所述第一PMOS晶體管的漏極。
6.根據權利要求5所述的多路選擇電路，其特征在于，當所述第一位線電壓下降，則所述第二PMOS晶體管打開，從而所述第二位線電壓被抬高至高電源電壓VDD，從而所述第一PMOS管關閉，從而進一步促使所述第一位線電壓下降。
7.根據權利要求5所述的多路選擇電路，其特征在于，當所述第二位線電壓下降，則所述第一PMOS晶體管打開，從而所述第一位線電壓被抬高至高電源電壓VDD，從而所述第二PMOS管關閉，從而進一步促使所述第二位線電壓下降。
8.一種靜態隨機存取存儲器，其特征在于，包括權利要求1-7之一所述的多路選擇電路。
9.一種電子裝置，包括權利要求8所述的靜態隨機存取存儲器。
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