[發明專利]一種掩膜結構及掩膜結構的制作方法在審
| 申請號： | 201610394660.1 | 申請日： | 2016-06-06 |
| 公開（公告）號： | CN107464745A | 公開（公告）日： | 2017-12-12 |
| 發明（設計）人： | 賀冠中 | 申請（專利權）人： | 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/027 | 分類號： | H01L21/027;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京路浩知識產權代理有限公司11002 | 代理人： | 李相雨 |
| 地址： | 100871 北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 膜結構 制作方法 | ||
1.一種掩膜結構，應用于襯底上，其特征在于，包括：位于所述襯底上的氧化層和位于所述氧化層上的絕緣層，在所述氧化層上設有氧化層溝槽，在所述絕緣層上設有與所述氧化層溝槽貫穿的絕緣層溝槽，所述氧化層溝槽的寬度大于所述絕緣層溝槽的寬度。
2.根據權利要求1所述的掩膜結構，其特征在于，所述絕緣層溝槽的兩側和所述氧化層溝槽的兩側以同一條軸線對稱設置。
3.根據權利要求2所述的掩膜結構，其特征在于，所述氧化層溝槽寬度與所述絕緣層溝槽寬度之差為所述氧化層溝槽寬度的2％-50％。
4.根據權利要求1所述的，其特征在于，所述氧化層的材料為二氧化硅，所述絕緣層的材料為氮化硅，所述襯底的材料為硅。
5.一種權利要求1-4中任一項所述的掩膜結構的制作方法，其特征在于，包括：
在所述襯底上依次形成所述氧化層和所述絕緣層；
在所述氧化層和所述絕緣層上刻蝕出貫穿且等寬的溝槽，所述溝槽包括所述氧化層上的氧化層溝槽和所述絕緣層上的絕緣層溝槽；
繼續刻蝕所述氧化層，以形成溝槽寬度大于所述絕緣層溝槽寬度的氧化層溝槽。
6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，在所述氧化層和所述絕緣層上刻蝕出貫穿且等寬的溝槽，包括：
通過干法刻蝕在所述氧化層和所述絕緣層上刻蝕出貫穿且等寬的溝槽。
7.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，繼續刻蝕所述氧化層，包括：
通過濕法刻蝕繼續刻蝕所述氧化層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
